| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-30 09:25 タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカルアニールによるZnO:Al薄膜の低抵抗化 大島 穣・田原将巳・モハマド ハニフ（長岡技科大）・片桐裕則・新保和夫（長岡高専）・黒木雄一郎・高田雅介・○安井寛治（長岡技科大）  CPM2009-97 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2009-97 |
|
| 抄録 | （和） | 第三電極を有するrfマグネトロンスパッタ法を用いて堆積したAl ドープZnO（AZO）膜を水素プラズマアニール処 理することで、抵抗率の低減と基板面内分布の改善効果が見られることを見出してきた。加熱金属触媒体の表面反応を用いると 水素ガスが高効率に分解し、放電を用いた場合に比べ1 桁以上高密度の水素ラジカルが生成出来る。そこで今回、AZO 膜の更 なる低抵抗化を目指して、加熱したタングステンメッシュ表面で生成した水素ラジカルによる水素アニールの効果を調べた。そ の結果、メッシュ温度1100-1300℃においてはキャリア密度の増大とHall 移動度の向上が見られたが、メッシュ温度1400℃以上 では、結晶性の悪化とキャリア密度の大幅な減少が見られた。 |
| （英） | Al doped ZnO (AZO) films has been deposited by a radio frequency (rf) magnetron sputtering with a third electrode. The resistivity of the AZO films has decreased and its uniformity has also been improved by hydrogen plasma annealing. In order to further lower the resistivity of the AZO films, hydrogen annealing using the hydrogen radicals generated on a tungsten hot-mesh was investigated. As a result, both the electron density and Hall mobility increased at the tungsten mesh temperatures of 1100-1300°C. However, the crystallinity of the ZnO films deteriorated and their electron densites greatly decreased by the hydrogen radical annealing at the tungsten mesh temperatures higher than 1400°C. The increase in the Hall mobility was considered to be due to the reduction of the adsorbed oxygen on the grain boundary by the hydrogen annealing. |
|
| キーワード | （和） | AZO / rfマグネトロンスパッタ / ホットメッシュ / 水素ラジカル / / / / |
| （英） | AZO / rf magnetron sputtering / hot-mesh / hydrogen radical / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 256, CPM2009-97, pp. 37-41, 2009年10月. | |
| 資料番号 | CPM2009-97 | |
| 発行日 | 2009-10-22 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2009-97 エレソ技報アーカイブへのリンク：CPM2009-97 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2009-10-29 - 2009-10-30 |
| 開催地（和） | 富山県立大学 |
| 開催地（英） | Toyama Prefectural University |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2009-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカルアニールによるZnO:Al薄膜の低抵抗化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Lowering of the AZO film resisitivity by hydrogen radical annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AZO / AZO |
| キーワード(2)（和/英） | rfマグネトロンスパッタ / rf magnetron sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | ホットメッシュ / hot-mesh |
| キーワード(4)（和/英） | 水素ラジカル / hydrogen radical |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大島 穣 / Yutaka Ohshima / オオシマ ユタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田原 将巳 / Masami Tahara / タハラ マサミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | モハマド ハニフ / Mohd Hanif / モハマド ハニフ |
| 第3著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片桐 裕則 / Hironori Katagiri / カタギリ ヒロノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 (略称： 長岡高専) Nagaoka National College of Technology (略称： Nagaoka National College of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新保 和夫 / Kazuo Jinbo / ジンボ カズオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 長岡工業高等専門学校 (略称： 長岡高専) Nagaoka National College of Technology (略称： Nagaoka National College of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒木 雄一郎 / Yuichiro Kuroki / クロキ ユウイチロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高田 雅介 / Masasuke Takata / タカタ マサスケ |
| 第7著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 長岡技術科学大学 (略称： 長岡技科大) Nagaoka University of Technology (略称： Nagaoka Univ. of Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第8著者 |
| 発表日時 | 2009-10-30 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2009-97 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.256 |
| ページ範囲 | pp.37-41 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-10-22 (CPM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]