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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-10-30 11:30 ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化 ○田主裕一朗・河野陽輔・黒木伸一郎・小谷光司（東北大）・村 直美・山上公久・古村雄二（フィルテック）・伊藤隆司（東北大）  SDM2009-128 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-128 |
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| 抄録 | （和） | ガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化のための新たな手法としてヒートガスアニール法を提案し実証した。ヒートガスアニール法は高温に加熱したガスを非晶質シリコン薄膜表面に吹き付けて結晶化させる手法で、高価な装置や真空チャンバが不要であるため低コスト化が可能なアニール法である。温度750-800℃、時間10秒から10分のヒートガスアニールによりガラス基板上の非晶質シリコン薄膜を結晶化し、ラマン測定によって結晶化した多結晶シリコン薄膜の結晶性を評価した。さらにAFM測定により多結晶シリコンのグレインサイズを評価し、ヒートガスアニール法による多結晶シリコン薄膜は炉アニールによるものと同サイズのグレインを持つことを示した。 |
| （英） | For a new novel method to crystallize amorphous silicon films on glass substrate, heated gas beam annealing method is proposed and investigated. The heated gas beam annealing is a method for crystallization of amorphous silicon by blowing heated gas to surface of amorphous silicon thin films. The heated gas beam annealing is a low-cost method because it does not use rich equipment or a vacuum chamber. Polycrystalline silicon (Poly-Si) films on glass substrate annealed by heated gas beam at 750-800℃ for between 10 s and 10 min is characterized by Raman spectroscopy and atomic force microscope. The poly-Si films annealed by heated gas beam have the same crystallinity of that annealed by conventional furnace. | |
| キーワード | （和） | ヒートガスアニール / 非晶質シリコン薄膜の結晶化 / ガラス基板 / 低コスト / ラマン測定 / グレインサイズ / / |
| （英） | Heated Gas Beam Annealing / Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films / Glass Substrate / Low Cost / Raman Spectroscopy / Grain Size / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 257, SDM2009-128, pp. 47-50, 2009年10月. | |
| 資料番号 | SDM2009-128 | |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-128 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-128 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-10-29 - 2009-10-30 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku University |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Semiconductor process science and new technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ヒートガスアニールによるガラス基板上の非晶質シリコン薄膜の結晶化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystallization of Amorphous Silicon Films on Glass Substrate by Heated Gas Beam Annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヒートガスアニール / Heated Gas Beam Annealing |
| キーワード(2)（和/英） | 非晶質シリコン薄膜の結晶化 / Crystallization of Amorphous Silicon Thin Films |
| キーワード(3)（和/英） | ガラス基板 / Glass Substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 低コスト / Low Cost |
| キーワード(5)（和/英） | ラマン測定 / Raman Spectroscopy |
| キーワード(6)（和/英） | グレインサイズ / Grain Size |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田主 裕一朗 / Yuichiro Tanushi / タヌシ ユウイチロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 河野 陽輔 / Yosuke Kawano / カワノ ヨウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒木 伸一郎 / Shin-Ichiro Kuroki / クロキ シンイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小谷 光司 / Koji Kotani / コタニ コウジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村 直美 / Naomi Mura / ムラ ナオミ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 フィルテック (略称： フィルテック) Philtech Inc. (略称： Philtech Inc.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山上 公久 / Kimihisa Yamakami / ヤマカミ キミヒサ |
| 第6著者 所属（和/英） | 株式会社 フィルテック (略称： フィルテック) Philtech Inc. (略称： Philtech Inc.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古村 雄二 / Yuji Furumura / フルムラ ユウジ |
| 第7著者 所属（和/英） | 株式会社 フィルテック (略称： フィルテック) Philtech Inc. (略称： Philtech Inc.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 隆司 / Takashi Ito / イトウ タカシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-10-30 11:30:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-128 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.257 |
| ページ範囲 | pp.47-50 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-10-22 (SDM) |
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