講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-10-30 11:00
Investigation of characteristics of pentacene-based MOSFETs structures ○Young-Uk Song・Shun-ichiro Ohmi・Hiroshi Ishiwara(Tokyo Inst. of Tech.) SDM2009-127 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-127 |
抄録 |
(和) |
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(英) |
In order to realize organic devices with low operation voltage, we have fabricated thin pentacene-based metal-oxide-semiconductor (MOS) diodes and field-effect-transistors (FETs) with very thin SiO2 gate dielectric (3-10 nm). The 12 nm-thick pentacene showed excellent capacitance-voltage (C-V) characteristics with small hysteresis and high carrier concentration, such as 2×1018cm-3. High mobility with low voltage, such as 0.3 cm2/V-s was also obtained. |
キーワード |
(和) |
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(英) |
pentacene / OFETs / pentacene mobility / low operation voltage / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 257, SDM2009-127, pp. 43-46, 2009年10月. |
資料番号 |
SDM2009-127 |
発行日 |
2009-10-22 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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