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講演抄録/キーワード
講演名 2009-10-30 09:00
Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価
黒田朋義大谷孝史加藤有行高田雅介赤羽正志安井寛治長岡技科大CPM2009-96 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-96
抄録 (和) Si基板上へモノメチルゲルマン(MMGe: GeH3CH3)を用いてGe・SiCナノドットの高密度形成を行い,形成したドット層に対して走査型トンネル顕微鏡(STM)及びX線光電子分光(XPS)測定を行った.その結果を基に,Ge・SiCドット層を平坦な層状であると仮定した二層モデルを用いてGeとSiCドット数の比を評価したが,ドットの形状を反映した正確な解析ではなかった.そこで今回ナノドット層について半球状構造を仮定し, STMおよびXPS測定結果を用いた新たな構造解析を行った.その結果,ナノドットの平均高さは2.68nm,Geナノドット対SiCナノドットの比はおよそ1:2.4であると見積もられた. 
(英) Surface structure and surface composition of Ge and SiC nanodot-fabricated surface on Si(001) substrates using monomethylgermane (MMGe) were measured by scanning tunneling microscopy (STM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Ge and SiC dot layer was supposed to be flat, and the ratio of the Ge dots to the SiC dots was estimated with two layer model using results of STM and XPS measurements. However, the two layer model does not reflect the exact shape of the dots. In this study, structural evaluation was performed using a hemispherical-dot structure of Ge and SiC dots. Using the hemispherical-dot structure model, the average dot height was estimated to be 2.68nm and the dot ratio of Ge to SiC was estimated to be approximately 1/2.4.
キーワード (和) Geナノドット / SiCナノドット / モノメチルゲルマン / STM / XPS / / /  
(英) Ge nano-dot / SiC nano-dot / monomethylgermane / STM / XPS / XPS / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 256, CPM2009-96, pp. 31-36, 2009年10月.
資料番号 CPM2009-96 
発行日 2009-10-22 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2009-96 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-96

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2009-10-29 - 2009-10-30 
開催地(和) 富山県立大学 
開催地(英) Toyama Prefectural University 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料、一般 
テーマ(英) Process of Thin Film formation and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2009-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Structural evaluation of Ge, SiC nanodots formed on Si based on hemispherical-dot model 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Geナノドット / Ge nano-dot  
キーワード(2)(和/英) SiCナノドット / SiC nano-dot  
キーワード(3)(和/英) モノメチルゲルマン / monomethylgermane  
キーワード(4)(和/英) STM / STM  
キーワード(5)(和/英) XPS / XPS  
キーワード(6)(和/英) / XPS  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 黒田 朋義 / Tomoyoshi Kuroda / クロダ トモヨシ
第1著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大谷 孝史 / Takashi Otani / オオタニ タカシ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 加藤 有行 / Ariyuki Kato / カトウ アリユキ
第3著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 雅介 / Masasuke Takata / タカタ マサスケ
第4著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 正志 / Tadashi Akahane / アカハネ タダシ
第5著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ
第6著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-10-30 09:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2009-96 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.256 
ページ範囲 pp.31-36 
ページ数
発行日 2009-10-22 (CPM) 


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