講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-10-30 09:00
Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価 ○黒田朋義・大谷孝史・加藤有行・高田雅介・赤羽正志・安井寛治(長岡技科大) CPM2009-96 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-96 |
抄録 |
(和) |
Si基板上へモノメチルゲルマン(MMGe: GeH3CH3)を用いてGe・SiCナノドットの高密度形成を行い,形成したドット層に対して走査型トンネル顕微鏡(STM)及びX線光電子分光(XPS)測定を行った.その結果を基に,Ge・SiCドット層を平坦な層状であると仮定した二層モデルを用いてGeとSiCドット数の比を評価したが,ドットの形状を反映した正確な解析ではなかった.そこで今回ナノドット層について半球状構造を仮定し, STMおよびXPS測定結果を用いた新たな構造解析を行った.その結果,ナノドットの平均高さは2.68nm,Geナノドット対SiCナノドットの比はおよそ1:2.4であると見積もられた. |
(英) |
Surface structure and surface composition of Ge and SiC nanodot-fabricated surface on Si(001) substrates using monomethylgermane (MMGe) were measured by scanning tunneling microscopy (STM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Ge and SiC dot layer was supposed to be flat, and the ratio of the Ge dots to the SiC dots was estimated with two layer model using results of STM and XPS measurements. However, the two layer model does not reflect the exact shape of the dots. In this study, structural evaluation was performed using a hemispherical-dot structure of Ge and SiC dots. Using the hemispherical-dot structure model, the average dot height was estimated to be 2.68nm and the dot ratio of Ge to SiC was estimated to be approximately 1/2.4. |
キーワード |
(和) |
Geナノドット / SiCナノドット / モノメチルゲルマン / STM / XPS / / / |
(英) |
Ge nano-dot / SiC nano-dot / monomethylgermane / STM / XPS / XPS / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 256, CPM2009-96, pp. 31-36, 2009年10月. |
資料番号 |
CPM2009-96 |
発行日 |
2009-10-22 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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