講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-10-29 17:15
大規模アレイTEGを用いた長時間測定によるランダム・テレグラフ・シグナルの統計的評価 ○藤澤孝文・阿部健一・渡部俊一・宮本直人・寺本章伸・須川成利・大見忠弘(東北大) SDM2009-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-123 |
抄録 |
(和) |
MOSFETの微細化,低ノイズデバイス作製のために,RTSノイズを抑制することが必要である.本報告では短時間で多数個のRTS特性が評価できる大規模アレイテスト回路を用いてRTS特性のゲートバイアス依存性を測定した.ゲートバイアスの減少に伴い,振幅は増大し,捕獲・放出時定数比は大きくなった.時定数比のゲートバイアス依存性から,絶縁膜中のトラップの分布について議論し,時定数比の抽出がトラップのエネルギー準位抽出に有用であることを示した. |
(英) |
For the development of miniaturizing MOSFET and manufacturing low noise devices, it is important to suppress RTS noise. In this report, we measured the gate bias voltage dependence of RTS characteristic with large-scale array test pattern that we are able to evaluate a large number of RTS characteristic in a short time. The amplitude increases and the time constant ratio increases as gate bias voltage decreases. We discuss the energy level of traps in an insulator film with the gate bias voltage dependence of time constant ratio. Extraction time constant ratio is useful for determination of the energy level of traps. |
キーワード |
(和) |
MOSFET / ばらつき / ランダム・テレグラフ・シグナル(RTS) / 時定数 / トラップ / / / |
(英) |
MOSFET / variability / Random Telegraph Signal(RTS) / time constant / trap / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 257, SDM2009-123, pp. 31-36, 2009年10月. |
資料番号 |
SDM2009-123 |
発行日 |
2009-10-22 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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