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講演抄録/キーワード
講演名 2009-10-29 14:50
有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成
橋本将貴鈴木貴彦成田 克廣瀬文彦山形大CPM2009-91 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-91
抄録 (和) 我々は多結晶Siに特有な粒界を横切る電荷の輸送機構を評価する為に、SiFETの製作プロセスの低温化に取り組んだ。具体的には、ソースとドレインにショットキー接触を採用し、さらにゲート絶縁膜には有機絶縁膜であるポリメチルメタクリレート(PMMA)を用いることで、形成温度を100℃以下でFET特性を得るにいたった。本プロセスでLSIグレードの単結晶Si基板をもちいてFET試作を行った結果、チャネル移動度として84.2cm2/Vsを得ており、キャリア輸送機構の評価のみならず、ディスプレイ用の薄膜トランジスタ用途にも使用できる可能性があることがわかった。 
(英) (Available after conference date)
キーワード (和) 低温プロセス / PMMA / TFT / ショットキー接触 / インジウム / スズ / /  
(英) / / / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 256, CPM2009-91, pp. 9-11, 2009年10月.
資料番号 CPM2009-91 
発行日 2009-10-22 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2009-91 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-91

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2009-10-29 - 2009-10-30 
開催地(和) 富山県立大学 
開催地(英) Toyama Prefectural University 
テーマ(和) 薄膜プロセス・材料、一般 
テーマ(英) Process of Thin Film formation and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2009-10-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 有機絶縁膜を用いたシリコンTFTの低温形成 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low temperature fabrication of Si TFTs by using organic insulator 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 低温プロセス /  
キーワード(2)(和/英) PMMA /  
キーワード(3)(和/英) TFT /  
キーワード(4)(和/英) ショットキー接触 /  
キーワード(5)(和/英) インジウム /  
キーワード(6)(和/英) スズ /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋本 将貴 / Masaki Hashimoto / ハシモト マサキ
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 貴彦 / Takahiko Suzuki / スズキ タカヒコ
第2著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 克 / Yuzuru Narita / ナリタ ユズル
第3著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣瀬 文彦 / Fumihiko Hirose / ヒロセ フミヒコ
第4著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
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講演者
発表日時 2009-10-29 14:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2009-91 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.256 
ページ範囲 pp.9-11 
ページ数 IEICE-3 
発行日 IEICE-CPM-2009-10-22 


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