講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-10-15 15:05
窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性 ○後藤康仁・池田啓太・宮田雄高・遠藤恵介・辻 博司(京大) ED2009-119 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-119 |
抄録 |
(和) |
窒化ハフニウム(HfN)を陰極とする1,024-tipの微小電子源アレイ(FEA)を製作し、
三極管構成でその電子放出特性を調べた。
ゲートを接地し、エミッタに負電圧を与え、
コレクタに正電圧を与えた条件で、電流電圧特性を測定し、
1,024-tipのアレイでは相互コンダクタンス
として 2~$\mu$S、コレクタ抵抗 1~G$\Omega$の値を得た。
これらの値から電圧増幅率として最大2,000が得られる計算となる。
実際にこの三極管構成で交流信号の増幅を確認し、電圧利得として7.2dBの値を
得た。
電流電圧特性を室温から300$^\circ$Cの温度範囲において測定し、
特性に変化がほとんど無いことを確かめた。
以上からHfN-FEAが高い温度で動作できる電子デバイスとして期待できることを示した。 |
(英) |
We have fabricated field emitter array (FEA) with hafnium nitride (HfN) cathode.
The electron emission characteristics of HfN-FEA were
investigated with a triode configuration.
The current-voltage characteristics were investigated under the following
conditions:
the gate was grounded, the emitter and the collector were negatively and
positively biased, respectively.
The transconductance of 2~$\mu$S, and collector resistance of 1~G$\Omega$
were obtained for 1,024-tip FEA,
and the calculated voltage amplification factor reached 2,000.
Amplification of an ac signal was experimentally confirmed, and
maximum voltage gain of 7.2 dB was obtained.
The emission characteristics at the temperature up to 300$^\circ$C
were investigated, and little change was observed between the room temperature
and 300$^\circ$C.
The results suggested that HfN-FEA is possible device
which could be operated at an elevated temperatures. |
キーワード |
(和) |
窒化ハフニウム / 電界放出電子源 / 電圧電流特性 / 増幅器 / 周波数特性 / 温度特性 / / |
(英) |
hafnium nitride / field emitter array / current-voltage characteristics / amplifier / frequency characteristics / high temperature operation / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 230, ED2009-119, pp. 17-20, 2009年10月. |
資料番号 |
ED2009-119 |
発行日 |
2009-10-08 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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