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講演抄録/キーワード
講演名 2009-10-15 15:05
窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性
後藤康仁池田啓太宮田雄高遠藤恵介辻 博司京大ED2009-119 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-119
抄録 (和) 窒化ハフニウム(HfN)を陰極とする1,024-tipの微小電子源アレイ(FEA)を製作し、
三極管構成でその電子放出特性を調べた。
ゲートを接地し、エミッタに負電圧を与え、
コレクタに正電圧を与えた条件で、電流電圧特性を測定し、
1,024-tipのアレイでは相互コンダクタンス
として 2~$\mu$S、コレクタ抵抗 1~G$\Omega$の値を得た。
これらの値から電圧増幅率として最大2,000が得られる計算となる。
実際にこの三極管構成で交流信号の増幅を確認し、電圧利得として7.2dBの値を
得た。
電流電圧特性を室温から300$^\circ$Cの温度範囲において測定し、
特性に変化がほとんど無いことを確かめた。
以上からHfN-FEAが高い温度で動作できる電子デバイスとして期待できることを示した。 
(英) We have fabricated field emitter array (FEA) with hafnium nitride (HfN) cathode.
The electron emission characteristics of HfN-FEA were
investigated with a triode configuration.
The current-voltage characteristics were investigated under the following
conditions:
the gate was grounded, the emitter and the collector were negatively and
positively biased, respectively.
The transconductance of 2~$\mu$S, and collector resistance of 1~G$\Omega$
were obtained for 1,024-tip FEA,
and the calculated voltage amplification factor reached 2,000.
Amplification of an ac signal was experimentally confirmed, and
maximum voltage gain of 7.2 dB was obtained.
The emission characteristics at the temperature up to 300$^\circ$C
were investigated, and little change was observed between the room temperature
and 300$^\circ$C.
The results suggested that HfN-FEA is possible device
which could be operated at an elevated temperatures.
キーワード (和) 窒化ハフニウム / 電界放出電子源 / 電圧電流特性 / 増幅器 / 周波数特性 / 温度特性 / /  
(英) hafnium nitride / field emitter array / current-voltage characteristics / amplifier / frequency characteristics / high temperature operation / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 230, ED2009-119, pp. 17-20, 2009年10月.
資料番号 ED2009-119 
発行日 2009-10-08 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-119 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-119

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2009-10-15 - 2009-10-16 
開催地(和) 福井大学 産学官連携本部(旧地域共同研究センター) 3階 研修室 
開催地(英)  
テーマ(和) 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-10-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 窒化ハフニウム電界放出電子源の動作特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electron emission characteristics of field emitter array with hafnium nitride cathode 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 窒化ハフニウム / hafnium nitride  
キーワード(2)(和/英) 電界放出電子源 / field emitter array  
キーワード(3)(和/英) 電圧電流特性 / current-voltage characteristics  
キーワード(4)(和/英) 増幅器 / amplifier  
キーワード(5)(和/英) 周波数特性 / frequency characteristics  
キーワード(6)(和/英) 温度特性 / high temperature operation  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 康仁 / Yasuhito Gotoh / ゴトウ ヤスヒト
第1著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 啓太 / Keita Ikeda / イケダ ケイタ
第2著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮田 雄高 / Yuko Miyata / ミヤタ ユウコウ
第3著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 恵介 / Keisuke Endo / エンドウ ケイスケ
第4著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 辻 博司 / Hiroshi Tsuji / ツジ ヒロシ
第5著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-10-15 15:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2009-119 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.230 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数
発行日 2009-10-08 (ED) 


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