講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-08-20 15:40
高密度量子ドットを用いた1.3μm帯ストライプレーザの低しきい値電流動作 ○天野 建・菅谷武芳・小森和弘・森 雅彦(産総研) EMD2009-39 CPM2009-63 OPE2009-87 LQE2009-46 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2009-39 CPM2009-63 OPE2009-87 LQE2009-46 |
抄録 |
(和) |
量子ドットレーザは超低しきい値、高速変調動作、温度無依存化などが可能な次世代半導体レーザとして期待されている.我々はこれまでに量子ドットの高密度化を実現し、これを用いた半導体レーザの高利得特性などの特性向上を実現してきた.今回は導波路構造に本研究で提案するHEM構造を採用する事で,ミラー損失が16cm-1と大きな構造(0.75mmの共振器長と高反射ミラー無し)においても,7mAの低しきい値電流動作を達成したので報告する. |
(英) |
(Not available yet) |
キーワード |
(和) |
量子ドット / 低しきい値 / 高密度化 / / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 176, LQE2009-46, pp. 69-72, 2009年8月. |
資料番号 |
LQE2009-46 |
発行日 |
2009-08-13 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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