講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-08-20 16:40
メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価 菅原雄大・牛尾拓也・○宮本智之(東工大) EMD2009-41 CPM2009-65 OPE2009-89 LQE2009-48 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2009-41 CPM2009-65 OPE2009-89 LQE2009-48 |
抄録 |
(和) |
フォトニクス分野で様々な応用が進む面発光レーザについて,素子サイズ微小化,低消費電力化,高効率化を目指して,注入キャリアの拡散と表面再結合電流を抑制する,従来加工プロセスに適合する量子構造混晶化手法を提案する.量子井戸構造の試料にSiO2を成膜し,様々な熱アニール条件により混晶化を行った結果をもとに,面発光レーザの通常の加工プロセスの途中でメサ横方向から混晶化を行いデバイスを製作した.15μm角メサのデバイスにより,混晶化を行わなかったデバイスに比べて,しきい値電流で70%の低減,量子効率で70%の向上を確認した.この特性向上について,製作工程の混晶化以外の特性改善要因についても議論する. |
(英) |
A quantum structure intermixing (QSI) technique that suppresses the carrier diffusion and surface recombination current was applied to vertical cavity surface emitting lasers (VCSELs) for decrease of the device size and power consumption, and increase of the efficiency. The QSI process of applying the thermal annealing after SiO2 deposition has been examined in quantum well samples. VCSELs were fabricated by using the QSI process from lateral direction at the mesa side wall. A 15 m square mesa VCSEL showed 70% decrease of the threshold current and 70% increase of the quantum efficiency in comparison with a non-QSI VCSEL. We also discuss another mechanism of improved characteristics besides the QSI technique. |
キーワード |
(和) |
面発光レーザ / 量子構造 / 混晶化 / 低しきい値 / 高効率 / / / |
(英) |
VCSEL / Quantum Structure Intermixing / Low threshold / High Efficiency / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 176, LQE2009-48, pp. 77-82, 2009年8月. |
資料番号 |
LQE2009-48 |
発行日 |
2009-08-13 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
OPE EMD CPM LQE |
開催期間 |
2009-08-20 - 2009-08-21 |
開催地(和) |
東北大学 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
光部品・電子デバイス実装技術、一般 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
LQE |
会議コード |
2009-08-OPE-EMD-CPM-LQE |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
メサ側面から量子構造混晶化を適用した面発光レーザの製作と評価 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Fabrication and Characterization of VCSELs using Lateral Quantum Structure Intermixing |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
面発光レーザ / VCSEL |
キーワード(2)(和/英) |
量子構造 / Quantum Structure Intermixing |
キーワード(3)(和/英) |
混晶化 / Low threshold |
キーワード(4)(和/英) |
低しきい値 / High Efficiency |
キーワード(5)(和/英) |
高効率 / |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
菅原 雄大 / Yuta Sugawara / スガワラ ユウタ |
第1著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
牛尾 拓也 / Takuya Ushio / ウシオ タクヤ |
第2著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宮本 智之 / Tomoyuki Miyamoto / ミヤモト トモユキ |
第3著者 所属(和/英) |
東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第3著者 |
発表日時 |
2009-08-20 16:40:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
LQE |
資料番号 |
EMD2009-41, CPM2009-65, OPE2009-89, LQE2009-48 |
巻番号(vol) |
vol.109 |
号番号(no) |
no.173(EMD), no.174(CPM), no.175(OPE), no.176(LQE) |
ページ範囲 |
pp.77-82 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2009-08-13 (EMD, CPM, OPE, LQE) |
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