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講演抄録/キーワード
講演名 2009-08-11 11:40
間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
齋藤 健永田一樹長岡技科大)・末光眞希遠藤哲郎伊藤 隆東北大)・中澤日出樹弘前大)・成田 克山形大)・高田雅介赤羽正志・○安井寛治長岡技科大エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-45
抄録 (和) GaNの省資源成長法として期待されるホットメッシュCVD法において、原料ガスの間欠供給がGaN結晶膜の特性にどのような効果をもたらすか調べた。これまでAlNバッファー層成長過程においていくつかの間欠ガス供給パターンを用いてGaNの成長を行った。このAlNバッファー層形成条件についてはGaN結晶性向上にとって良好な条件を見出せたが、GaN膜の成長過程において最適な間欠ガス供給条件を見出していない。今回、気相反応を抑制することでGaN膜の特性を更に改善出来ないか、アンモニア及びアルキル金属原料ガスを間欠供給させ成長を行った。また、1パルスあたりのTMGの供給量を制御しGaN成長を試みた。その結果、TMGを間欠供給、アンモニアを連続供給させた場合において結晶性、発光特性ともに優れたGaN膜が得られた。また、Ga原料ガス原料供給の周期8 秒で最も良い結晶膜が得られた。 
(英) Hot-mesh CVD with various gas supply modes for the epitaxial growth of gallium nitride (GaN) on Si was investigated for the improvement of its crystallinity and optical properties. The optimal interruption time in an intermittent TMG gas supply was also investigated. As a result, the good crystallinity of GaN films was obtained by an intermittent gas supply of TMG and a continuous supply of NH3 gas. The best crystallinity was obtained at an interruption time of 8 s.
キーワード (和) GaN / AlN / Intermittent supply / Ru / W-mesh / Hot-mesh CVD / /  
(英) GaN / AlN / Intermittent supply / Ru / W-mesh / Hot-mesh CVD / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 171, CPM2009-45, pp. 61-66, 2009年8月.
資料番号 CPM2009-45 
発行日 2009-08-03 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2009-08-10 - 2009-08-11 
開催地(和) 弘前大学 
開催地(英) Hirosaki Univ. 
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英) Electronic Component Parts and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2009-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Epitaxial growth of gallium nitride on Si by hot-mesh CVD method with intermittent gas supplies. 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) GaN / GaN  
キーワード(2)(和/英) AlN / AlN  
キーワード(3)(和/英) Intermittent supply / Intermittent supply  
キーワード(4)(和/英) Ru / Ru  
キーワード(5)(和/英) W-mesh / W-mesh  
キーワード(6)(和/英) Hot-mesh CVD / Hot-mesh CVD  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 健 / Takeshi Saitou / サイトウ タケシ
第1著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 永田 一樹 / Kazuki Nagata / ナガタ カズキ
第2著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ
第3著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所 (略称: 東北大)
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (略称: RIEC Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ
第4著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所 (略称: 東北大)
Research Institute of Electrical Communication, Tohoku University (略称: RIEC Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 隆 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第5著者 所属(和/英) 東北大学学際科学国際高等研究センター (略称: 東北大)
Center of Interdisciplinary Research, Tohoku University (略称: CIR Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第6著者 所属(和/英) 弘前大学理工学部 (略称: 弘前大)
Faculty of Science & Technology, Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 克 / Yuzuru Narita / ナリタ ユズル
第7著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 高田 雅介 / Masasuke Takata / タカタ マサスケ
第8著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤羽 正志 / Tadashi Akahane / アカハネ タダシ
第9著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ
第10著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of Technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
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講演者 10 
発表日時 2009-08-11 11:40:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2009-45 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.171 
ページ範囲 pp.61-66 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CPM-2009-08-03 


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