講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-08-10 14:40
半導体工学教育用簡易MOSFET作製プロセス ○廣瀬文彦・宮城達郎・成田 克(山形大) CPM2009-33 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-33 |
抄録 |
(和) |
電界効果トランジスタ(FET)は集積回路の基本構成要素であり、大学の半導体工学教育現場においても主要な履修要素となっている。高い教育効果を得るためには、座学の勉強のみならず、製作実習を行うことが望ましいが、これまでMOS FETを製作するには、クリーンルームやリソグラフィ、フォトマスク、イオン注入などの高額な設備や材料が必要となり、コスト高のため地方大学の教育現場では実施困難なものとなっている。我々は、リソグラフィやイオン注入プロセスを用いず、ゲート絶縁膜に有機ポリマーを用い、塗布法と熱処理、蒸着プロセスのみで高歩留まりでFETを作製できるプロセスを考案した。大学院レベルの半導体工学入門者の実習に最適である。また学部学生のアンケートからも本プロセスの実体験について学生の関心が高いことを明らかにした。 |
(英) |
We have developed an easy fabrication method of Si field effect transistors (FETs) with poly(methyl methacrylate) (PMMA) gate films for science education. In this process, we can easily fabricate the silicon FETs only by means of metal deposition and thermal diffusion without any lithography processes. The organic isolation films of PMMA can be deposited by casting or painting at room temperature in air. The metal-organic-semiconductor FETs with PMMA exhibited almost the same drain current – gate voltage characteristics as those of conventional Si metal-oxide-semiconductor FETs, which are suitable for the education material of semiconductor engineering. |
キーワード |
(和) |
MOSFET / 半導体教育 / 塗布 / / / / / |
(英) |
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文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 171, CPM2009-33, pp. 1-3, 2009年8月. |
資料番号 |
CPM2009-33 |
発行日 |
2009-08-03 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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