講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-08-10 16:05
有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価 ○三浦創史・中澤日出樹・西崎圭太(弘前大)・末光眞希(東北大)・安井寛治(長岡技科大)・伊藤 隆・遠藤哲郎(東北大)・成田 克(山形大) CPM2009-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-36 |
抄録 |
(和) |
ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン(MMS)を用いた高周波プラズマ化学気相成長法によりSi添加DLC(Si-DLC)膜を作製し、希釈ガスの種類や基板バイアスの方法について詳細な検討を行った。原料ガスとして$CH_{4}$及びMMS、希釈ガスとしてAr又は$H_{2}$を使用し、基板には直流又はパルスバイアスを印加した。同じMMS/(MMS+\$CH_{4}$)流量比では直流バイアスに比べてパルスバイアスの方が膜中のSi組成[Si/(Si+C)]が大きくなることがわかった。膜中へのSiの添加によって内部応力および摩擦係数が減少するが、パルスバイアスまたは希釈ガスに$H_{2}$を用いることで、成膜中での微粒子の発生が抑制され摩擦係数が更に減少することがわかった。 |
(英) |
To further improve the properties of diamond-like carbon (DLC) films, we have deposited Si-incorporated DLC (Si-DLC) films by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using monomethylsilane (MMS) as a Si source, and investigated in detail the effects of dilution gas and substrate bias on the film properties. $CH_{4}$ and MMS gases were used to deposit Si-DLC films, and they were diluted with Ar or $H_{2}$ during deposition. A DC bias or a pulse bias applied to the substrate was used to increase the incident ion energy. The Si-DLC films deposited using the pulse bias were found to have a higher Si atomic fraction ratio [Si/(Si+C)] than the films deposited using the DC bias at identical MMS/(MMS+$CH_{4}$) ratio. The internal stress and friction coefficient decreased by the addition of Si into the films. It was found that the use of the pulse bias and/or $H_{2}$ dilution gas was effective in suppressing the formation of particles and further decreasing the friction coefficient. |
キーワード |
(和) |
Si添加ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長法 / 有機シラン / / / / / |
(英) |
Si-incorporated diamond-like carbon / plasma-enhanced chemical vapor deposition / organosilane / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 171, CPM2009-36, pp. 13-18, 2009年8月. |
資料番号 |
CPM2009-36 |
発行日 |
2009-08-03 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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