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講演抄録/キーワード
講演名 2009-08-10 16:05
有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
三浦創史中澤日出樹西崎圭太弘前大)・末光眞希東北大)・安井寛治長岡技科大)・伊藤 隆遠藤哲郎東北大)・成田 克山形大CPM2009-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-36
抄録 (和) ダイヤモンドライクカーボン(DLC)の膜特性改善のために、Si源にモノメチルシラン(MMS)を用いた高周波プラズマ化学気相成長法によりSi添加DLC(Si-DLC)膜を作製し、希釈ガスの種類や基板バイアスの方法について詳細な検討を行った。原料ガスとして$CH_{4}$及びMMS、希釈ガスとしてAr又は$H_{2}$を使用し、基板には直流又はパルスバイアスを印加した。同じMMS/(MMS+\$CH_{4}$)流量比では直流バイアスに比べてパルスバイアスの方が膜中のSi組成[Si/(Si+C)]が大きくなることがわかった。膜中へのSiの添加によって内部応力および摩擦係数が減少するが、パルスバイアスまたは希釈ガスに$H_{2}$を用いることで、成膜中での微粒子の発生が抑制され摩擦係数が更に減少することがわかった。 
(英) To further improve the properties of diamond-like carbon (DLC) films, we have deposited Si-incorporated DLC (Si-DLC) films by radio-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using monomethylsilane (MMS) as a Si source, and investigated in detail the effects of dilution gas and substrate bias on the film properties. $CH_{4}$ and MMS gases were used to deposit Si-DLC films, and they were diluted with Ar or $H_{2}$ during deposition. A DC bias or a pulse bias applied to the substrate was used to increase the incident ion energy. The Si-DLC films deposited using the pulse bias were found to have a higher Si atomic fraction ratio [Si/(Si+C)] than the films deposited using the DC bias at identical MMS/(MMS+$CH_{4}$) ratio. The internal stress and friction coefficient decreased by the addition of Si into the films. It was found that the use of the pulse bias and/or $H_{2}$ dilution gas was effective in suppressing the formation of particles and further decreasing the friction coefficient.
キーワード (和) Si添加ダイヤモンドライクカーボン / プラズマ化学気相成長法 / 有機シラン / / / / /  
(英) Si-incorporated diamond-like carbon / plasma-enhanced chemical vapor deposition / organosilane / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 171, CPM2009-36, pp. 13-18, 2009年8月.
資料番号 CPM2009-36 
発行日 2009-08-03 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2009-36 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-36

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2009-08-10 - 2009-08-11 
開催地(和) 弘前大学 
開催地(英) Hirosaki Univ. 
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英) Electronic Component Parts and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2009-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Characterization of Diamond-Like Carbon Thin Films Prepared by Radio-Frequency Pasma-Ehanced CVD Using Organosilanes 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) Si添加ダイヤモンドライクカーボン / Si-incorporated diamond-like carbon  
キーワード(2)(和/英) プラズマ化学気相成長法 / plasma-enhanced chemical vapor deposition  
キーワード(3)(和/英) 有機シラン / organosilane  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 創史 / Soushi Miura / ミウラ ソウシ
第1著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa / ナカザワ ヒデキ
第2著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 西崎 圭太 / Keita Nishizaki / ニシザキ ケイタ
第3著者 所属(和/英) 弘前大学 (略称: 弘前大)
Hirosaki University (略称: Hirosaki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ
第4著者 所属(和/英) 東北大学電気通信研究所 (略称: 東北大)
Reseach Institute of Electrical Communication.tohoku University (略称: RIEC Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 安井 寛治 / Kanji Yasui / ヤスイ カンジ
第5著者 所属(和/英) 長岡技術科学大学 (略称: 長岡技科大)
Nagaoka University of technology (略称: Nagaoka Univ. of Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 隆 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第6著者 所属(和/英) 東北大学学際科学国際高等研究センター (略称: 東北大)
Center for Interdisciplinary Research Tohoku University (略称: CIR Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ
第7著者 所属(和/英) 東北大学学際科学国際高等研究センター (略称: 東北大)
Center for Interdisciplinary Research Tohoku University (略称: CIR Tohoku Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 克 / Yuzuru Narita / ナリタ ユズル
第8著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-08-10 16:05:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2009-36 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.171 
ページ範囲 pp.13-18 
ページ数
発行日 2009-08-03 (CPM) 


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