お知らせ 研究会の開催と会場に参加される皆様へのお願い(2020年7月開催)
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-08-10 15:05
昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価
成田 克山形大)・安冨伍郎右ノ子知恵稲永征司並木 章九工大CPM2009-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-34
抄録 (和) Si(100)表面からの水素分子(D$_{2}$)の脱離kineticsを昇温脱離法(Temperature-Programmed Desorption:TPD)と等温脱離法を用いて調べた.TPDスペクトルの片対数プロットから,水素脱離には3つの脱離チャネル($\beta_{1,\rm{A}}$,$\beta_{1,\rm{B}}$,C)が存在することを見出した.
$\beta_{1,\rm{A}}$ピークは初期水素被覆率$\theta_{\rm D}^{0}$が変化してもそのピーク温度は変わらず,一次脱離反応の特徴を示した.一方,$\beta_{1,\rm{B}}$ピークは$\theta_{\rm D}^{0}$の減少に伴って高温側にシフトすることから,二次脱離反応の特徴を示した.
等温脱離法を用いてそれらの脱離バリヤーを評価したところ,$\beta_{1,\rm{A}}$脱離は1.6$\pm$0.1 eV,$\beta_{1,\rm{B}}$脱離は1.8$\pm$0.1 eVという結果を得た.
これらの値は,これまで信じられてきた脱離バリヤー2.5 eVよりも
約1 eV低い値であり,これらの脱離メカニズムをinter-dimer機構を基に考察した. 
(英) We have investigated desorption kinetics of deutrium from a Si(100) surface
using temperature-programmed desorption (TPD) and isothermal
desorption methods.
From semi-logarithmic plots of TPD spectra, it is found that three desorption components, denoted as $\beta_{1,\rm{A}}$, $\beta_{1,\rm{B}}$, and C, can be distinguished.
The maximum of the $\beta_{1,\rm{A}}$ peak is nearly constant at around the maximum temperature of the TPD peak.
On the orther hand, the $\beta_{1,\rm{B}}$ peak systematically shifts to higher temperatures with decreasing $\theta_{\rm D}^{0}$.
These results imply that first- and second-order kinetics are operating for the $\beta_{1,\rm{A}}$ and $\beta_{1,\rm{B}}$ desorptions, respectively.
From the analysis of isothermal desorption curves, the desorption barriers for the $\beta_{1,\rm{A}}$ and $\beta_{1,\rm{B}}$ desorptions are evaluated to be 1.6$\pm$0.1 eV and 1.8$\pm$0.1 eV, respectively. These values are substantially lower than the widely accepted value of 2.5 eV.
The desorption mechanisms for the $\beta_{1,\rm{A}}$, $\beta_{1,\rm{B}}$ and C channels are discussed based on an inter-dimer model.
キーワード (和) 水素 / Si(100)表面 / 昇温脱離法 / 等温脱離法 / 脱離バリヤー / / /  
(英) Hydrogen / Si(100) surface / Temperature-programmed desorption / Isothermal desorption / Desorption barrier / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 171, CPM2009-34, pp. 5-8, 2009年8月.
資料番号 CPM2009-34 
発行日 2009-08-03 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2009-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2009-34

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2009-08-10 - 2009-08-11 
開催地(和) 弘前大学 
開催地(英) Hirosaki Univ. 
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英) Electronic Component Parts and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2009-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 昇温脱離法と等温脱離法を用いたSi(100)表面からの水素脱離バリヤー評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Evaluation of Hydrogen Desorption Barrier from Si(100) Surface using Temperature-Pprogrammed Desorption and Isothermal Desorption 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 水素 / Hydrogen  
キーワード(2)(和/英) Si(100)表面 / Si(100) surface  
キーワード(3)(和/英) 昇温脱離法 / Temperature-programmed desorption  
キーワード(4)(和/英) 等温脱離法 / Isothermal desorption  
キーワード(5)(和/英) 脱離バリヤー / Desorption barrier  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 成田 克 / Yuzuru Narita / ナリタ ユズル
第1著者 所属(和/英) 山形大学 (略称: 山形大)
Yamagata University (略称: Yamagata Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 安冨 伍郎 / Goro Yasutomi / ヤストミ ゴロウ
第2著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 右ノ子 知恵 / Chie Unoko / ウノコ チエ
第3著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 稲永 征司 / Shoji Inanaga / イナナガ ショウジ
第4著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 並木 章 / Akira Namiki / ナミキ アキラ
第5著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2009-08-10 15:05:00 
発表時間 25 
申込先研究会 CPM 
資料番号 IEICE-CPM2009-34 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.171 
ページ範囲 pp.5-8 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-CPM-2009-08-03 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会