講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-07-23 16:00
自由電子レーザ照射による単層カーボンナノチューブの成長中カイラリティ制御 境 恵二郎・石塚大祐(日大)・金木邦英・矢島博文(東京理科大)・岩田展幸・○山本 寛(日大) OME2009-34 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2009-34 |
抄録 |
(和) |
単層カーボンナノチューブ(SWNT)は直径とカイラリティによって金属、半導体になる。SWNTをナノ電子デバイスに応用するためにはカイラリティの制御が必要である。しかし、現在までにカイラリティ制御の確立された手法は報告されていない。我々は自由電子レーザ(FEL)を照射してSWNTのカイラリティ制御の手法を確立させることを目指している。照射したFELの波長は直径1.1nmの半導体SWNTの光吸収波長域である800nmを選択した。成長したSWNTは532nmと785nmのRaman分光装置により構造解析を行った。FEL未照射時はどちらの励起波長でも直径1.1nmを示すRBMが存在した。FEL照射時は励起波長785 nmのみRBMが存在した。800nmのFEL照射によって半導体SWNTの成長を選択的に促進することができた。 |
(英) |
Single wall carbon nanotubes (SWNTs) are characterized as metals or semiconductors depending on their diameter and chirality. For applying SWNTs to the nanoscale electronic devices, the chirality must be controlled. We propose a novel technique to control the chirality using free electron laser (FEL) irradiation. The irradiation of FEL with the wavelength of 800 nm can be effective to enhance the synthesis of semiconductive SWNTs selectively with the specific chirality to the SWNTs with the 1.1 nm in diameter. In the SWNTs grown under 800 nm FEL irradiated the peak of radial breathing mode (RBM) was observed only diode laser (@785 nm). Effect of 800 nm FEL irradiation during ACCVD was advanced semiconductive SWNT growth. |
キーワード |
(和) |
SWNT / FEL / ACCVD / Raman / / / / |
(英) |
SWNT / FEL / ACCVD / Raman / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 147, OME2009-34, pp. 31-36, 2009年7月. |
資料番号 |
OME2009-34 |
発行日 |
2009-07-16 (OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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