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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-07-23 15:10 内部光電子放出法を用いたAlq3と陰極界面の電子注入障壁高さの評価 ○高石真也・伊東栄次（信州大）  OME2009-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2009-32 |
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| 抄録 | （和） | 本研究ではITO/TiO2/IL/Alq3/陰極構造の“electron-only device”を作成して、内部光電子放出法を用いて、Alq3/陰極界面の電子注入障壁の評価を行った。陰極をMgAg、Al、Ag、Auとしたときの電子注入障壁高さはそれぞれ0.86、1.05、1.3、1.55eVと見積もられた。この障壁高さと電極材料の仕事関数、電気陰性度との関係は線形成を示し、特に電気陰性度の関係でスロープパラメーターは0.6となった。これはAlq3/陰極界面でのギャップ内準位によるものと考えられる。 |
| （英） | We have investigated electron injection barrier height at aluminum tris (8-hydroxy‐quinoline)(Alq3)/cathode interfaces by internal photoemission (IPE) measurement. A three layered device consisting of ITO/TiO2/ IL/Alq3/cathode structure was used to fabricate the “electron-only device”. The measured barrier heights were 0.86, 1.05, 1.3 and 1.55eV for MgAg, Al, Ag and Au electrodes. Barrier height showed linear relationship with work-function and electro-negativity of cathode materials. The slope parameter of 0.6 with electro-negativity was attributed to the interfacial charge transfer through the mid gap electronic states at the cathode/Alq3 interface. | |
| キーワード | （和） | 内部光電子放出法 / 障壁高さ / Alq3 / electron-only device / / / / |
| （英） | internal photoemission / barrier height / Alq3 / electron-only device / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 147, OME2009-32, pp. 19-24, 2009年7月. | |
| 資料番号 | OME2009-32 | |
| 発行日 | 2009-07-16 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2009-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2009-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2009-07-23 - 2009-07-23 |
| 開催地（和） | (財)加藤科学振興会軽井沢研修所 |
| 開催地（英） | Karuizawa Kensyujyo, Kato Foundation for Promotion of Science |
| テーマ（和） | 有機薄膜・複合膜とデバイス応用，一般 |
| テーマ（英） | Applications of Organic and Composite Films, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2009-07-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 内部光電子放出法を用いたAlq3と陰極界面の電子注入障壁高さの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of electron injection barrier hight at Alq3/cathode interface by internal photoemission spectroscopy |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 内部光電子放出法 / internal photoemission |
| キーワード(2)（和/英） | 障壁高さ / barrier height |
| キーワード(3)（和/英） | Alq3 / Alq3 |
| キーワード(4)（和/英） | electron-only device / electron-only device |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高石 真也 / Shinya Takaishi / タカイシ シンヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊東 栄次 / Eiji Itoh / |
| 第2著者 所属（和/英） | 信州大学 (略称： 信州大) Shinshu University (略称： Shinshu Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-07-23 15:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2009-32 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.147 |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-07-16 (OME) |
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