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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-07-21 15:15 プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製 ○長井友樹・内藤直生人・赤池宏之・藤巻 朗（名大）  SCE2009-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2009-14 |
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| 抄録 | （和） | 本誌では、NbN接合におけるプラズマ窒化AlNx障壁層の形成プロセス及びその接合の諸特性について述べる。このプラズマ窒化AlNx障壁は、我々が提案したセルフシャント型NbN/AlN/NbNx/NbN接合の特性改善のために不可欠な非常に薄く且つ均質な障壁層として用いることを考えている。本研究では、プラズマ窒化AlNx障壁層形成条件とNbN/AlNx/NbNトンネル接合の電気的特性の関係を調べた。窒化されるAl膜厚及び窒化条件を調整することにより、接合は、サブギャップリーク電流の少ないアンダーダンプ型の電流－電圧特性を示し、臨界電流密度Jcが3.3 kA/cm2の接合では品質パラメータVmが40となった。また、接合抵抗RnAやJcは、それぞれ40～1500 Ωμm2, ～ 7 kA/cm2の値が得られた。臨界電流のばらつきの評価では、接合サイズ100 μm2の100接合に対し、最大最小±3 %程度であった。 |
| （英） | We present the preparation process of plasma-nitrided AlNx barriers for NbN Josephson junctions and the electrical characteristics of the junctions. The plasma-nitided AlNx barrier will be used as an ultra-thin and homogeneous barrier layer which is needed to enhance the quality of NbN/AlN/NbNx/NbN junctions. In this work, we have investigated the relationship between the preparation conditions of plasma-nitrided AlNx barriers and the electrical characteristics of NbN/AlNx/NbN junctions. By adjusting the Al thickness and nitriding time, junctions showed underdamped current-voltage characteristics with low leakage current. The quality parameter Vm was 40 mV in the junction with Jc = 3.3 kA/cm2, and the junction resistance RnA and Jc were 40～1500 Ωμm2 and ～7 kA/cm2, respectively. Evaluation of the spread in Ic showed that the minimum to maximum Ic spread was about ±3 % in series of 100 junctions with an area of 100 μm2. | |
| キーワード | （和） | プラズマ窒化 / ＡｌＮ / ＮｂＮ / ジョセフソン接合 / / / / |
| （英） | Plasma-Nitridation / AlN / NbN / Josephson junction / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 141, SCE2009-14, pp. 29-33, 2009年7月. | |
| 資料番号 | SCE2009-14 | |
| 発行日 | 2009-07-14 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2009-14 エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2009-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2009-07-21 - 2009-07-21 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 接合および材料、一般 |
| テーマ（英） | Junctions and materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2009-07-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | プラズマ窒化AlN障壁を用いたNbNジョセフソン接合の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of NbN Josephson Junctions with Plasma-Nitrided AlN barrier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | プラズマ窒化 / Plasma-Nitridation |
| キーワード(2)（和/英） | ＡｌＮ / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | ＮｂＮ / NbN |
| キーワード(4)（和/英） | ジョセフソン接合 / Josephson junction |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長井 友樹 / Yuki Nagai / ナガイ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内藤 直生人 / Naoto Naito / ナイトウ ナオト |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤池 宏之 / Hiroyuki Akaike / アカイケ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤巻 朗 / Akira Fujimaki / フジマキ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-07-21 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2009-14 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.141 |
| ページ範囲 | pp.29-33 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-07-14 (SCE) |
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