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講演抄録/キーワード
講演名 2009-07-17 14:10
垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM
深見俊輔鈴木哲広永原聖万大嶋則和NEC)・尾崎康亮NECエレクトロニクス)・齊藤信作根橋竜介崎村 昇本庄弘明森 馨五十嵐忠二三浦貞彦石綿延行杉林直彦NECSDM2009-114 ICD2009-30 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-114 ICD2009-30
抄録 (和) 高速混載メモリの代替を目指した垂直磁化磁壁移動MRAMを開発した。試作素子の評価から、十分な熱安定性を維持した上で、書き込み電流は0.2 mA以下、書き込み時間は2 ns以下にできる見通しが得られ、また良好な「読み」、「書き」、「繰り返し」特性が実証された。当セルを90 nmルールで設計した場合のセルサイズは0.1 um2程度と見積もられる。これは現行のシステムLSIに混載されているほぼ全てのRAMと同等以上のコストパフォーマンスを有するものと考えられる。 
(英) We have developed a new magnetic random access memory with current-induced domain wall motion (DW-motion MRAM) using perpendicular magnetic anisotropy materials. We confirmed its potentials of 0.2-mA and 2-ns writing with sufficient thermal stability, and also demonstrated good memory operations. The cell size of this MRAM was estimated to be around 0.1 um2. The obtained properties indicate that this MRAM can replace conventional high-speed embedded memories currently used in system LSI such as eSRAM and eDRAM.
キーワード (和) MRAM / 垂直磁気異方性 / 磁壁 / 書き込み電流 / / / /  
(英) MRAM / Perpendicular magnetic anisotropy / Domain wall / Write-current / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 133, SDM2009-114, pp. 91-95, 2009年7月.
資料番号 SDM2009-114 
発行日 2009-07-09 (SDM, ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2009-114 ICD2009-30 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-114 ICD2009-30

研究会情報
研究会 ICD SDM  
開催期間 2009-07-16 - 2009-07-17 
開催地(和) 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 
開催地(英) Tokyo Institute of Technology 
テーマ(和) 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 
テーマ(英) Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-07-ICD-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 垂直磁化磁壁移動セルを用いた高速低電流MRAM 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Low Current Perpendicular Domain Wall Motion Cell for Scalable High-Speed MRAM 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MRAM / MRAM  
キーワード(2)(和/英) 垂直磁気異方性 / Perpendicular magnetic anisotropy  
キーワード(3)(和/英) 磁壁 / Domain wall  
キーワード(4)(和/英) 書き込み電流 / Write-current  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 深見 俊輔 / Shunsuke Fukami / フカミ シュンスケ
第1著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 哲広 / Tetsuhiro Suzuki / スズキ テツヒロ
第2著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 永原 聖万 / Kiyokazu Nagahara / ナガハラ キヨカズ
第3著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大嶋 則和 / Norikazu Ohshima / オオシマ ノリカズ
第4著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾崎 康亮 / Yasuaki Ozaki / オザキ ヤスアキ
第5著者 所属(和/英) NECエレクトロニクス株式会社 (略称: NECエレクトロニクス)
NEC Electronics Corporation (略称: NECEL Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 齊藤 信作 / Shinsaku Saito / サイトウ シンサク
第6著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 根橋 竜介 / Ryusuke Nebashi / ネバシ リュウスケ
第7著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 崎村 昇 / Noboru Sakimura / サキムラ ノボル
第8著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 本庄 弘明 / Hiroaki Honjo / ホンジョウ ヒロアキ
第9著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 馨 / Kaoru Mori / モリ カオル
第10著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) 五十嵐 忠二 / Chuji Igarashi / イガラシ チュウジ
第11著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) 三浦 貞彦 / Sadahiko Miura / ミウラ サダヒコ
第12著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) 石綿 延行 / Nobuyuki Ishiwata / イシワタ ノブユキ
第13著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉林 直彦 / Tadahiko Sugibayashi / スギバヤシ タダヒコ
第14著者 所属(和/英) 日本電気株式会社 (略称: NEC)
NEC Corporation (略称: NEC Corp.)
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講演者
発表日時 2009-07-17 14:10:00 
発表時間 25 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-114,IEICE-ICD2009-30 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.133(SDM), no.134(ICD) 
ページ範囲 pp.91-95 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2009-07-09,IEICE-ICD-2009-07-09 


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