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| 講演名 | 2009-07-17 15:30 ［招待講演］グラフェンデバイスの開発と今後の展望 ○尾辻泰一（東北大）  SDM2009-116 ICD2009-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-116 ICD2009-32 |
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| 抄録 | （和） | 本稿では、ポストシリコンCMOS技術として我々が開発を進めているSi基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその光・電子デバイス応用について研究状況を紹介する．グラフェンの形成技術としては，グラファイト片からのピーリングとエピタキシャル成長したSiCの表面改質が一般的であるが，ポストCMOS新材料としての適用を考慮すると，Si基板の導入と半導体集積加工に耐える量産性に優れた低温成長技術が不可欠である．その要求に応えるために，有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長と表面改質によるグラフェン・オン・シリコン（GOS）成長技術が開発されている．本GOS材料を用いて，グラフェンをチャネルとするトランジスタ動作が実現されている．グラフェン成長層数の制御や結晶品質など，GOSプロセス技術の改善・発展，オーミック電極形成，閾値制御，不純物注入制御など，今後解決すべき課題は多い．グラフェンの特異な電子輸送特性は，FET応用以外にも，プラズモニックデバイス，テラヘルツレーザーなど，多様な電子デバイスへの活用が期待される．ここではそれらの一端も併せて紹介する． |
| （英） | This paper reviews recent advances in our original graphene material epitaxially grown on Si substrate and its applications to electron and optoelectronic devices. Exfoliation from highly-oriented pyrolitic graphite and surface decomposition of epitaxial SiC are well-known as graphene formation technologies. However, when it is introduced to the post-CMOS VLSIs as the key material, introduction of Si substrate as the starting material as well as practically low-temperature, reproducible growth technology is mandatory. To cope with those issues “graphene-on-silicon” material growth technology consisting of epitaxial growth of 3C-SiC onto Si substrate using organo-silan gas-source MBE and surface decomposition processes has been developed. By utilizing such a new GOS material to form the channel with graphene, normal transistor operation has been confirmed with an excellent mobility. This is the first step ahead; we have recognized existing subjects for ultra-high quality, mass-productive device fabrication. The exceptional electronic properties of graphene can devise wide variety of new devices including plasmonic devices and terahertz lasers which will also be described. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / エピタキシャル成長 / シリコン / トランジスタ / FET / テラヘルツ / レーザー / |
| （英） | graphene / epitaxial growth / silicon / transistor / FET / terahertz / laser / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 133, SDM2009-116, pp. 101-106, 2009年7月. | |
| 資料番号 | SDM2009-116 | |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-116 ICD2009-32 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-116 ICD2009-32 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2009-07-16 - 2009-07-17 |
| 開催地（和） | 東工大 大岡山キャンパス 国際交流会館 |
| 開催地（英） | Tokyo Institute of Technology |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low voltage/low power techniques, novel devices, circuits, and applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | グラフェンデバイスの開発と今後の展望 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Graphene Devices and their Future |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / graphene |
| キーワード(2)（和/英） | エピタキシャル成長 / epitaxial growth |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(4)（和/英） | トランジスタ / transistor |
| キーワード(5)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(6)（和/英） | テラヘルツ / terahertz |
| キーワード(7)（和/英） | レーザー / laser |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾辻 泰一 / Taiichi Otsuji / オツジ タイイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-07-17 15:30:00 |
| 発表時間 | 45分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-116, ICD2009-32 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.133(SDM), no.134(ICD) |
| ページ範囲 | pp.101-106 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-07-09 (SDM, ICD) |
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