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講演抄録/キーワード
講演名 2009-07-02 13:50
非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価
濱畑 孝近畿大)・秋濃(小池) 俊昭ハーバード大)・秋濃俊郎江藤剛治近畿大
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抄録 (和) 本論文は,ドレイン側に長いLDDと厚いゲート酸化膜を有する高耐圧MOSFET構造を持ったX-FABの0.6μm SOI-CMOSプロセスに基づき,チャネル長(即ち,MOSFETに内存する寄生横型BJTのベース幅)を2種類変えたMOSFETを設計し,それらのMOSFETとBJTの両者の電流特性を評価した結果を述べる.まず,(1) MOSFET動作がオンで横型BJTの動作がアクティブでない場合,次に,(2) 横型BJT動作がアクティブでMOSFET動作がオフの場合,最後に,(3) 最も重要な両者の動作がオンとアクティブの併合動作の場合,それぞれ三つの状態でのドレイン(コレクタ)電流-ドレイン(コレクタ)電圧を実測した.チャネル長毎の併合動作時の電流能力データを,他の二つの動作のそれに比較して,解析する. 
(英) This paper describes that, being based on 0.6um SOI-CMOS process of X-FAB having an MOSFET structure with a high breakdown voltage using a long asymmetric LDD structure and thick gate oxide at the drain side, we design two kinds of the MOSFET channel lengths (i.e. the base widths of the parasitic lateral BJT which is inherent to the MOSFETs) and evaluate both current characteristics for the MOSFETs and the lateral BJTs. We measure the drain (collector) - source (emitter) currents for the fabricated MOSFETs as the following three cases: (1) the behavior of making the MOSFETs “on” while letting the lateral BJTs “inactive,” (2) the behavior of making the lateral BJTs “active” while letting the MOSFETs “off,” and (3) the most significant joint behavior of making the MOSFET “on” and the lateral BJT “active.” Moreover, we analyze the above measured current data of the joint behavior compared to those of other two behaviors.
キーワード (和) MOSFET / BJT / LDD / SOI / / / /  
(英) MOSFET / BJT / LDD / SOI / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 111, VLD2009-24, pp. 103-108, 2009年7月.
資料番号 VLD2009-24 
発行日 2009-06-24 (CAS, VLD, SIP) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 SIP CAS VLD  
開催期間 2009-07-01 - 2009-07-02 
開催地(和) 釧路市生涯学習センター 
開催地(英) Kushiko-shi Shogai Gakushu Center 
テーマ(和) 信号処理,LSIおよび一般 
テーマ(英) Signal processing, LSI, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2009-07-SIP-CAS-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 非対称LDDを用いた高耐圧SOI-CMOSプロセスにおけるMOSFET・横型BJT並列動作特性の実測評価 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Measured Data Evaluations for Both Behaviors of MOSFET and Lateral BJT Based on High Breakdown Voltage SOI-CMOS Process using Asymmetric LDD structure 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MOSFET / MOSFET  
キーワード(2)(和/英) BJT / BJT  
キーワード(3)(和/英) LDD / LDD  
キーワード(4)(和/英) SOI / SOI  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 濱畑 孝 / Takashi Hamahata / ハマハタ タカシ
第1著者 所属(和/英) 近畿大学 (略称: 近畿大)
Kinki University (略称: Kinki Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋濃(小池) 俊昭 / Toshiaki Koike-Akino / トシアキ コイケ アキノ
第2著者 所属(和/英) ハーバード大学 (略称: ハーバード大)
Harvard University (略称: Harvard Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋濃 俊郎 / Toshiro Akino / アキノ トシロウ
第3著者 所属(和/英) 近畿大学 (略称: 近畿大)
Kinki University (略称: Kinki Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 江藤 剛治 / T. Goji Etoh / エトウ タケハル
第4著者 所属(和/英) 近畿大学 (略称: 近畿大)
Kinki University (略称: Kinki Univ.)
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講演者
発表日時 2009-07-02 13:50:00 
発表時間 20 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-CAS2009-19,IEICE-VLD2009-24,IEICE-SIP2009-36 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.110(CAS), no.111(VLD), no.112(SIP) 
ページ範囲 pp.103-108 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-CAS-2009-06-24,IEICE-VLD-2009-06-24,IEICE-SIP-2009-06-24 


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