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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-30 16:15
ゲートとソースにスタブを装荷したFET発振回路の基本設計
小林真純坂井尚貴ウリン トヤ上原秀幸大平 孝豊橋技科大MW2009-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2009-29
抄録 (和) ゲートとソースにスタブを装荷したFET発振回路について,Qファクタが高くなるように基本設計を行う.回路構成と所望発振周波数,デバイス利得から発振するための受動素子パラメータ条件を計算する.求めた受動素子パラメータをLC素子値に換算し,$LC$を装荷したFET発振回路のQファクタを計算する.発振条件を満たすためにはFETのゲート側のスタブはショートスタブ,ソース側のスタブはオープンスタブとなる.受動素子パラメータに一致し,かつQファクタが高くなるように長方形スタブの幅と長さを決定する. 
(英) This paper presents a basic design of high Q factor FET oscillator circuit. The passive element parameters to satisfy oscillation condition are calculated from circuit configuration, specified oscillation frequency, and active device gain. Each passive element parameter is converted into LC element value. Q factor of the LC FET oscillation circuit is calculated. Oscillation condition is satisfied only when gate side stub is short stub and source side stub is open stub. Rectangular stub widths and lengths that satisfy oscillation condition with high Q factor are deduced.
キーワード (和) 発振回路 / 電界効果トランジスタ / マイクロストリップスタブ / Qファクタ / / / /  
(英) oscillator / FET / microstripstub / Q factor / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 109, MW2009-29, pp. 57-62, 2009年6月.
資料番号 MW2009-29 
発行日 2009-06-23 (MW) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード MW2009-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2009-29

研究会情報
研究会 MW  
開催期間 2009-06-30 - 2009-06-30 
開催地(和) 名工大 
開催地(英) Nagoya Institute of Technology 
テーマ(和) マイクロ波信号発生と計測技術/一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MW 
会議コード 2009-06-MW 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ゲートとソースにスタブを装荷したFET発振回路の基本設計 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Basic Design of FET Oscillator Loaded with Stubs on Gate and Source 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 発振回路 / oscillator  
キーワード(2)(和/英) 電界効果トランジスタ / FET  
キーワード(3)(和/英) マイクロストリップスタブ / microstripstub  
キーワード(4)(和/英) Qファクタ / Q factor  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 真純 / Masumi Kobayashi / コバヤシ マスミ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 坂井 尚貴 / Naoki Sakai / サカイ ナオキ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) ウリン トヤ / Tuya Wuren / ウリン トヤ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 上原 秀幸 / Hideyuki Uehara / ウエハラ ヒデユキ
第4著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大平 孝 / Takashi Ohira / オオヒラ タカシ
第5著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-30 16:15:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MW 
資料番号 MW2009-29 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.109 
ページ範囲 pp.57-62 
ページ数
発行日 2009-06-23 (MW) 


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