講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-06-30 16:15
ゲートとソースにスタブを装荷したFET発振回路の基本設計 ○小林真純・坂井尚貴・ウリン トヤ・上原秀幸・大平 孝(豊橋技科大) MW2009-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:MW2009-29 |
抄録 |
(和) |
ゲートとソースにスタブを装荷したFET発振回路について,Qファクタが高くなるように基本設計を行う.回路構成と所望発振周波数,デバイス利得から発振するための受動素子パラメータ条件を計算する.求めた受動素子パラメータをLC素子値に換算し,$LC$を装荷したFET発振回路のQファクタを計算する.発振条件を満たすためにはFETのゲート側のスタブはショートスタブ,ソース側のスタブはオープンスタブとなる.受動素子パラメータに一致し,かつQファクタが高くなるように長方形スタブの幅と長さを決定する. |
(英) |
This paper presents a basic design of high Q factor FET oscillator circuit. The passive element parameters to satisfy oscillation condition are calculated from circuit configuration, specified oscillation frequency, and active device gain. Each passive element parameter is converted into LC element value. Q factor of the LC FET oscillation circuit is calculated. Oscillation condition is satisfied only when gate side stub is short stub and source side stub is open stub. Rectangular stub widths and lengths that satisfy oscillation condition with high Q factor are deduced. |
キーワード |
(和) |
発振回路 / 電界効果トランジスタ / マイクロストリップスタブ / Qファクタ / / / / |
(英) |
oscillator / FET / microstripstub / Q factor / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 109, MW2009-29, pp. 57-62, 2009年6月. |
資料番号 |
MW2009-29 |
発行日 |
2009-06-23 (MW) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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