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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-25 13:15
Effect of Ion-Beam-Induced Damage on Luminescence Properties in Tb-Implanted AlxGa1-xN
Ji-Ho ParkHiroshi OkadaAkihiro WakaharaYuzo FurukawaToyohashi Univ. of Tech.)・Yong-Tae KimDankook Univ.)・Jonghan SongKIST)・Ho-Jung ChangDankook Univ.)・Shin-ichiro SatoTakeshi OhshimaJAEA, TakasakiED2009-82 SDM2009-77 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-82 SDM2009-77
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) We investigated the effect of ion-beam-induced damage on luminescence properties for rare earth ions -doped III-nitride semiconductor. Tb ions were implanted into Al0.35Ga0.65N epi-layers grown by OMVPE, and the dose were in the range of 1×1012 ~ 2.8×1016 Tb/cm2. RBS/C reveals that ion-beam-induced damage level steeply increases when the dose exceed 5×1014 Tb/cm2. Tb-related luminescence properties are much susceptible to defect, because CL intensity begins to saturate even at low dose (1×1013 Tb/cm2) at which expected defect density is very low. Transient decay time became faster as increases Tb ions dose above 1×1013 Tb/cm2. The results suggest that non-radiative defects, perhaps Tb-defect complexes, are formed in low dose condition even though the structural defect density is very low.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Rare Earth / Terbium / AlGaN / Ion-Beam-Damage / III-nitride semiconductor / MOCVD / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-82, pp. 141-144, 2009年6月.
資料番号 ED2009-82 
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-06-24 - 2009-06-26 
開催地(和) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) 
開催地(英) Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea 
テーマ(和) 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 
テーマ(英) 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-06-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Effect of Ion-Beam-Induced Damage on Luminescence Properties in Tb-Implanted AlxGa1-xN 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Rare Earth  
キーワード(2)(和/英) / Terbium  
キーワード(3)(和/英) / AlGaN  
キーワード(4)(和/英) / Ion-Beam-Damage  
キーワード(5)(和/英) / III-nitride semiconductor  
キーワード(6)(和/英) / MOCVD  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 朴 志鎬 / Ji-Ho Park / パク ジホ
第1著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ
第2著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ
第3著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 古川 雄三 / Yuzo Furukawa / フルカワ ユウゾウ
第4著者 所属(和/英) 豊橋技術科学大学 (略称: 豊橋技科大)
Toyohashi University of Technology (略称: Toyohashi Univ. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) Yong-Tae Kim / Yong-Tae Kim /
第5著者 所属(和/英) Dankook University (略称: Dankook Univ.)
Dankook University (略称: Dankook Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Jonghan Song / Jonghan Song /
第6著者 所属(和/英) Korea Institute of Science and Technology (略称: KIST)
Korea Institute of Science and Technology (略称: KIST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Ho-Jung Chang / Ho-Jung Chang /
第7著者 所属(和/英) Dankook University (略称: Dankook Univ.)
Dankook University (略称: Dankook Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) Shin-ichiro Sato / Shin-ichiro Sato /
第8著者 所属(和/英) 原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA, Takasaki)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) Takeshi Ohshima / Takeshi Ohshima /
第9著者 所属(和/英) 原子力研究開発機構 (略称: 原子力機構)
Japan Atomic Energy Agency (略称: JAEA, Takasaki)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-25 13:15:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2009-82, SDM2009-77 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.97(ED), no.98(SDM) 
ページ範囲 pp.141-144 
ページ数
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 


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