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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-25 11:30
InP pn接合基板へのポーラス構造の形成とデバイス応用
佐藤威友吉澤直樹オカザキ ヒロユキ橋詰 保北大ED2009-76 SDM2009-71 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-76 SDM2009-71
抄録 (和) We demonstrated to form InP porous structures on n-type epitaxial layers grown on p-type (001) substrates. The high-density array of straight pores with 150nm diameter and 5000nm depth was formed by the electrochemical anodization process, where the pore depth could be controlled by the anodization time in the n-type layer. The present p-n InP porous structures show the low optical reflectance in UV-, visible- and near-infrared region. The current transport properties clearly show the rectifying behavior. These features are very promising for practical application to high-efficiency photo-sensitive devices. 
(英) We demonstrated to form InP porous structures on n-type epitaxial layers grown on p-type (001) substrates. The high-density array of straight pores with 150nm diameter and 5000nm depth was formed by the electrochemical anodization process, where the pore depth could be controlled by the anodization time in the n-type layer. The present p-n InP porous structures show the low optical reflectance in UV-, visible- and near-infrared region. The current transport properties clearly show the rectifying behavior. These features are very promising for practical application to high-efficiency photo-sensitive devices.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) Electrochemical Process / Porous Structure / Indium Phosphide / p-n junction / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-76, pp. 117-120, 2009年6月.
資料番号 ED2009-76 
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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PDFダウンロード ED2009-76 SDM2009-71 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-76 SDM2009-71

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-06-24 - 2009-06-26 
開催地(和) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) 
開催地(英) Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea 
テーマ(和) 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 
テーマ(英) 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-06-SDM-ED 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) InP pn接合基板へのポーラス構造の形成とデバイス応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Formation and application of InP porous structures on p-n substrates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / Electrochemical Process  
キーワード(2)(和/英) / Porous Structure  
キーワード(3)(和/英) / Indium Phosphide  
キーワード(4)(和/英) / p-n junction  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 威友 / Taketomo Sato / サトウ タケトモ
第1著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉澤 直樹 / Naoki Yoshizawa / ヨシザワ ナオキ
第2著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) オカザキ ヒロユキ / Hiroyuki Okazaki / オカザキ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ
第4著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
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講演者
発表日時 2009-06-25 11:30:00 
発表時間 15 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2009-76,IEICE-SDM2009-71 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.97(ED), no.98(SDM) 
ページ範囲 pp.117-120 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2009-06-17,IEICE-SDM-2009-06-17 


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