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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-25 09:30
[招待講演]InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source
Yasuyuki MiyamotoToru KanazawaHisashi SaitoKazuhito FuruyaTokyo Inst. of Tech.ED2009-72 SDM2009-67 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-72 SDM2009-67
抄録 (和) Recently, III-V thin films have been identified as potential candidates for future nMOS channels. High current drivability in these thin films can be achieved if the doping concentration in the source is made to exceed 1 × 1019 cm–3. However, in the case of III-V materials, it is difficult to achieve high doping concentrations using ion implantation techniques. This report includes the results of our attempt to realize an epitaxially grown source, with which high doping concentrations can be achieved. One approach involves the fabrication of an InP/InGaAs composite channel MISFET with InGaAs source and drain by selective regrowth using MOVPE. The other approach involves the use of vertical FETs with a heterolauncher for the ballistic transport of electrons. 
(英) Recently, III-V thin films have been identified as potential candidates for future nMOS channels. High current drivability in these thin films can be achieved if the doping concentration in the source is made to exceed 1 × 1019 cm–3. However, in the case of III-V materials, it is difficult to achieve high doping concentrations using ion implantation techniques. This report includes the results of our attempt to realize an epitaxially grown source, with which high doping concentrations can be achieved. One approach involves the fabrication of an InP/InGaAs composite channel MISFET with InGaAs source and drain by selective regrowth using MOVPE. The other approach involves the use of vertical FETs with a heterolauncher for the ballistic transport of electrons.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) InP/InGaAs / MISFET / regrown source / heterolauncher / dual gate / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-72, pp. 99-103, 2009年6月.
資料番号 ED2009-72 
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-72 SDM2009-67 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-72 SDM2009-67

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-06-24 - 2009-06-26 
開催地(和) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) 
開催地(英) Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea 
テーマ(和) 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 
テーマ(英) 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-06-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) InGaAs/InP MISFET with epitaxially grown source 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / InP/InGaAs  
キーワード(2)(和/英) / MISFET  
キーワード(3)(和/英) / regrown source  
キーワード(4)(和/英) / heterolauncher  
キーワード(5)(和/英) / dual gate  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 金澤 徹 / Toru Kanazawa / カナザワ トオル
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 尚史 / Hisashi Saito / サイトウ ヒサシ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya / フルヤ カズヒト
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Tokyo Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-25 09:30:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2009-72, SDM2009-67 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.97(ED), no.98(SDM) 
ページ範囲 pp.99-103 
ページ数
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 


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