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| 講演名 | 2009-06-24 16:30 Design of 30nm FinFET with Halo Structure ○Tetsuo Endoh・Koji Sakui・Yukio Yasuda（Tohoku Univ../JST-CREST）  ED2009-64 SDM2009-59 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-64 SDM2009-59 |
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| 抄録 | （和） | Design of 30nm FinFETs with halo structure for suppressing the threshold voltage roll-off and improving the subthreshold swing at the same time is proposed for the first time. The performances of nano scale FinFETs with halo structure are analyzed using a two-dimensional device simulator. The device characteristics, focusing especially on the threshold voltage and subthreshold slope, are investigated for different gate length, body thickness, and halo impurity concentration. From the viewpoint of body potential control, it is made clear on how to design the halo structure to suppress the short channel effects and improve the subthreshold-slope. It is shown that by introducing the halo structure to FinFETs, nano-scale FinFETs achieves an improved S-factor and suppressed Vth roll-off simultaneously. |
| （英） | Design of 30nm FinFETs with halo structure for suppressing the threshold voltage roll-off and improving the subthreshold swing at the same time is proposed for the first time. The performances of nano scale FinFETs with halo structure are analyzed using a two-dimensional device simulator. The device characteristics, focusing especially on the threshold voltage and subthreshold slope, are investigated for different gate length, body thickness, and halo impurity concentration. From the viewpoint of body potential control, it is made clear on how to design the halo structure to suppress the short channel effects and improve the subthreshold-slope. It is shown that by introducing the halo structure to FinFETs, nano-scale FinFETs achieves an improved S-factor and suppressed Vth roll-off simultaneously. | |
| キーワード | （和） | FinFET / イオン注入ハロー構造 / MOSFET / しきい値のロールオフ / Sファクタ / デバイスデザイン / / |
| （英） | FinFET / Halo I/I / MOSFET / threshold voltage roll-off / S-factor / device design / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-59, pp. 63-66, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-59 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-64 SDM2009-59 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-64 SDM2009-59 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of 30nm FinFET with Halo Structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | FinFET / FinFET |
| キーワード(2)（和/英） | イオン注入ハロー構造 / Halo I/I |
| キーワード(3)（和/英） | MOSFET / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | しきい値のロールオフ / threshold voltage roll-off |
| キーワード(5)（和/英） | Sファクタ / S-factor |
| キーワード(6)（和/英） | デバイスデザイン / device design |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学/JST-CREST (略称： 東北大/JST) Tohoku University/CREST,Japan Science and Technology Agency (略称： Tohoku Univ../JST-CREST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 作井 康司 / Koji Sakui / サクイ コウジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学/JST-CREST (略称： 東北大/JST) Tohoku University/CREST,Japan Science and Technology Agency (略称： Tohoku Univ../JST-CREST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 幸夫 / Yukio Yasuda / ヤスダ ユキオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東北大学/JST-CREST (略称： 東北大/JST) Tohoku University/CREST,Japan Science and Technology Agency (略称： Tohoku Univ../JST-CREST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-24 16:30:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2009-64, SDM2009-59 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.63-66 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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