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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-24 14:00
[招待講演]準ミリ波・ミリ波帯CMOSパワー増幅器
鈴木俊秀川野陽一富士通/富士通研)・佐藤 優富士通研)・中舍安宏廣瀬達哉富士通/富士通研)・原 直紀富士通研)・常信和清富士通/富士通研ED2009-50 SDM2009-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-50 SDM2009-45
抄録 (和) 本論文は90 nm CMOS技術を用いた準ミリ波・ミリ波帯のパワーアンプに関する。準ミリ波アンプは20GHzで線形利得18dB, 飽和出力20dBmを達成。ミリ波帯アンプは77GHzで線形利得9.7dB, 飽和出力11.3dBmを達成。 
(英) This paper presents quasi-millimeter and millimeter power amplifiers (PA) fabricated in a standard 90-nm CMOS process. A 20-GHz pseudo-differential power amplifier (PA) with two-stage cascode configuration is designed with the impedance of 6.25ohm for input and 25ohm for output on the assumption of using an off-chip transformer for power combining. Each amplifier performs a saturation power of 20 dBm with a linear gain of 18 dB. The supply voltage is 2.4 V, and the chip size is 2.0 × 1.8 mm2. A 77-GHz power amplifier with four-stage single configuration designed with the 50ohm impedance for input and output. The PA achieved a saturation power of 11.3 dBm with a linear gain of 9.7 dB.
キーワード (和) CMOS / パワーアンプ / ミリ波 / 準ミリ波 / / / /  
(英) CMOS / PA / millimeter-wave / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-50, pp. 1-4, 2009年6月.
資料番号 ED2009-50 
発行日 2009-06-17 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2009-50 SDM2009-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-50 SDM2009-45

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-06-24 - 2009-06-26 
開催地(和) 海雲台グランドホテル(釜山、韓国) 
開催地(英) Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea 
テーマ(和) 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) 
テーマ(英) 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-06-SDM-ED 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) 準ミリ波・ミリ波帯CMOSパワー増幅器 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) CMOS-based Power Amplifiers Operating at Quasi-Millimeter and Millimeter Waveband 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(2)(和/英) パワーアンプ / PA  
キーワード(3)(和/英) ミリ波 / millimeter-wave  
キーワード(4)(和/英) 準ミリ波 /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 俊秀 / Toshihide Suzuki / スズキ トシヒデ
第1著者 所属(和/英) 富士通/富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 川野 陽一 / Yoichi Kawano / カワノ ヨウイチ
第2著者 所属(和/英) 富士通/富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 優 / Masaru Sato / サトウ マサル
第3著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Labs.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中舍 安宏 / Yasuhiro Nakasha / ナカシャ ヤスヒロ
第4著者 所属(和/英) 富士通/富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 廣瀬 達哉 / Tatsuya Hirose / ヒロセ タツヤ
第5著者 所属(和/英) 富士通/富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 原 直紀 / Naoki Hara / ハラ ナオキ
第6著者 所属(和/英) 富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu Labs.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 常信 和清 / Kazukiyo Joshin / ジョウシン カズキヨ
第7著者 所属(和/英) 富士通/富士通研究所 (略称: 富士通/富士通研)
Fujitsu/Fujitsu Laboratories (略称: Fujitsu/Fujitsu Labs.)
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講演者
発表日時 2009-06-24 14:00:00 
発表時間 30 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2009-50,IEICE-SDM2009-45 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.97(ED), no.98(SDM) 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-ED-2009-06-17,IEICE-SDM-2009-06-17 


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