講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-06-24 14:00
[招待講演]準ミリ波・ミリ波帯CMOSパワー増幅器 ○鈴木俊秀・川野陽一(富士通/富士通研)・佐藤 優(富士通研)・中舍安宏・廣瀬達哉(富士通/富士通研)・原 直紀(富士通研)・常信和清(富士通/富士通研) ED2009-50 SDM2009-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-50 SDM2009-45 |
抄録 |
(和) |
本論文は90 nm CMOS技術を用いた準ミリ波・ミリ波帯のパワーアンプに関する。準ミリ波アンプは20GHzで線形利得18dB, 飽和出力20dBmを達成。ミリ波帯アンプは77GHzで線形利得9.7dB, 飽和出力11.3dBmを達成。 |
(英) |
This paper presents quasi-millimeter and millimeter power amplifiers (PA) fabricated in a standard 90-nm CMOS process. A 20-GHz pseudo-differential power amplifier (PA) with two-stage cascode configuration is designed with the impedance of 6.25ohm for input and 25ohm for output on the assumption of using an off-chip transformer for power combining. Each amplifier performs a saturation power of 20 dBm with a linear gain of 18 dB. The supply voltage is 2.4 V, and the chip size is 2.0 × 1.8 mm2. A 77-GHz power amplifier with four-stage single configuration designed with the 50ohm impedance for input and output. The PA achieved a saturation power of 11.3 dBm with a linear gain of 9.7 dB. |
キーワード |
(和) |
CMOS / パワーアンプ / ミリ波 / 準ミリ波 / / / / |
(英) |
CMOS / PA / millimeter-wave / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 97, ED2009-50, pp. 1-4, 2009年6月. |
資料番号 |
ED2009-50 |
発行日 |
2009-06-17 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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