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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-24 14:00 ［招待講演］SiC上グラフェンの物性評価 ○永瀬雅夫・日比野浩樹・影島博之・山口浩司（NTT）  ED2009-61 SDM2009-56 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-61 SDM2009-56 |
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| 抄録 | （和） | 近年、グラフェンはその優れた電気的性質が注目を浴びている。SiC上にエピタキシャル成長が可能である熱成長グラフェンは、従来のウエハスケール・デバイスと互換性があるため、将来有望な材料系である。本稿では、SiC上グラフェン用の顕微鏡的な計測手法について議論する。低エネルギー電子顕微鏡(LEEM)を用いた層数計測技術により、数層グラフェンの層数制御と形態制御が可能となった。走査プローブ顕微鏡上の集積化ナノギャッププローブによる局所導電率計測により、グラフェンナノ構造、及び、二層グラフェンシートの顕微鏡的な電子物性が明らかとなった。 |
| （英） | Graphene has recently attracted a lot of research interest because of its superior electric properties. Thermally grown epitaxial graphene on SiC substrate is promising for future electronic devices because of its compatibility with existing wafer-scale manufacturing. In this paper, microscopic metrological methods for graphene on SiC will be discussed. A layer number determination method using low-energy electron microscopy (LEEM) enables us to control the layer number and morphology of few-layer graphene. Local conductance measurements using an integrated nanogap probe based on scanning probe microscopy reveal the electrical properties of graphene nanoislands and double-layer graphene sheets on SiC. | |
| キーワード | （和） | グラフェン / 炭化ケイ素 / 低エネルギー電子顕微鏡 / 走査プローブ顕微鏡 / ナノギャップ電極 / 局所導電率 / / |
| （英） | Graphene / SiC / LEEM / SPM / nano-gap electrode / local conductance / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 98, SDM2009-56, pp. 47-52, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-56 | |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-61 SDM2009-56 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-61 SDM2009-56 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2009-06-24 - 2009-06-26 |
| 開催地（和） | 海雲台グランドホテル（釜山、韓国） |
| 開催地（英） | Haeundae Grand Hotel, Busan, Korea |
| テーマ（和） | 第17回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2009) |
| テーマ（英） | 2009 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | SiC上グラフェンの物性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Metrology of microscopic properties of graphene on SiC |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | グラフェン / Graphene |
| キーワード(2)（和/英） | 炭化ケイ素 / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | 低エネルギー電子顕微鏡 / LEEM |
| キーワード(4)（和/英） | 走査プローブ顕微鏡 / SPM |
| キーワード(5)（和/英） | ナノギャップ電極 / nano-gap electrode |
| キーワード(6)（和/英） | 局所導電率 / local conductance |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永瀬 雅夫 / Masao Nagase / ナガセ マサオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研 (略称： NTT) NTT Basic Research Labs., Nippon telegraph and Telephone Corp. (略称： NTT BRL) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 日比野 浩樹 / Hiroki Hibino / ヒビノ ヒロキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研 (略称： NTT) NTT Basic Research Labs., Nippon telegraph and Telephone Corp. (略称： NTT BRL) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 影島 博之 / Hiroyuki Kageshima / カゲシマ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研 (略称： NTT) NTT Basic Research Labs., Nippon telegraph and Telephone Corp. (略称： NTT BRL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 浩司 / Hiroshi Yamaguchi / ヤマグチ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話(株)NTT物性科学基礎研 (略称： NTT) NTT Basic Research Labs., Nippon telegraph and Telephone Corp. (略称： NTT BRL) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-24 14:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2009-61, SDM2009-56 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.97(ED), no.98(SDM) |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-17 (ED, SDM) |
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