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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 12:40 Ge MOSデバイスの熱安定性 ～ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ～ ○鎌田善己（MIRAI-東芝）・高島 章（東芝）・手塚 勉（MIRAI-東芝）  SDM2009-31 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-31 |
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| 抄録 | （和） | GeO(g)脱ガス温度は、酸化手法に依存せず、Ge酸化膜中のGeO(II)比率が多い程、低下する。GeO(g)脱ガスはH2O(g)脱ガスを伴うため、Ge(OH)2がGeO(g)とH2O(g)にクラッキングすることでGeO(g)が脱ガスすると考えられる。GeO(g)脱ガスの素過程における原料であるGeO(II)は耐酸性を持ち不溶性であるが、高温HCl溶液前処理でエッチング除去でき、GeO(g)脱ガスおよびJg劣化が無いhigh-k/Ge MOSデバイス作製の前処理として有効である。Ge酸化物制御、特にGeO(II)の制御が、high-k/Ge MOSデバイスの熱安定性および良好な電気的特性を保つための主要な課題である。 |
| （英） | GeO(g) desorption temperature decreases with the increase in the ratio of GeO(II) in Ge oxide and is independent of the oxidation techniques. Since GeO(g) desorption is accompanied by H2O(g) desorption, it is appropriate to consider that Ge(OH)2 decomposes into GeO(g) and H2O(g). Although GeO(II) has a resistance against high concentration HF solution or HCl one, highly effective etching methods of Ge oxide, using HCl solution at high temperature has been demonstrated. Controlling Ge oxide, in particular GeO(II), is a key issue for the thermal stability of high-k/Ge MOS devices. | |
| キーワード | （和） | ゲルマニウム / ゲルマニウム酸素 / 一酸化ゲルマニウム / 二酸化ゲルマニウム / ゲルマニウム水酸化物 / 三塩化水素ゲルマニウム / 四塩化ゲルマニウム / |
| （英） | Ge / Ge oxygen / Ge monoxide / Ge dioxide / Ge hydroxide / Ge hydrotrichloride / Ge tetrachloride / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-31, pp. 27-31, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-31 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-31 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-31 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ge MOSデバイスの熱安定性 |
| サブタイトル（和） | Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 |
| タイトル（英） | Thermal Stability of Ge MOS Devices |
| サブタイトル（英） | Influence of Ge monoxide [GeO(II)] on Ge oxygen [GeO(g)] desorption |
| キーワード(1)（和/英） | ゲルマニウム / Ge |
| キーワード(2)（和/英） | ゲルマニウム酸素 / Ge oxygen |
| キーワード(3)（和/英） | 一酸化ゲルマニウム / Ge monoxide |
| キーワード(4)（和/英） | 二酸化ゲルマニウム / Ge dioxide |
| キーワード(5)（和/英） | ゲルマニウム水酸化物 / Ge hydroxide |
| キーワード(6)（和/英） | 三塩化水素ゲルマニウム / Ge hydrotrichloride |
| キーワード(7)（和/英） | 四塩化ゲルマニウム / Ge tetrachloride |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鎌田 善己 / Yoshiki Kamata / カマタ ヨシキ |
| 第1著者 所属（和/英） | MIRAI-東芝 (略称： MIRAI-東芝) MIRAI-TOSHIBA (略称： MIRAI-TOSHIBA) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高島 章 / Akira Takashima / タカシマ アキラ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) TOSHIBA Corporation (略称： TOSHIBA Corp) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 手塚 勉 / Tsutomu Tezuka / テヅカ ツトム |
| 第3著者 所属（和/英） | MIRAI-東芝 (略称： MIRAI-東芝) MIRAI-TOSHIBA (略称： MIRAI-TOSHIBA) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 12:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-31 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.27-31 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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