電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-19 12:40
Ge MOSデバイスの熱安定性 ~ Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 ~
鎌田善己MIRAI-東芝)・高島 章東芝)・手塚 勉MIRAI-東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-31
抄録 (和) GeO(g)脱ガス温度は、酸化手法に依存せず、Ge酸化膜中のGeO(II)比率が多い程、低下する。GeO(g)脱ガスはH2O(g)脱ガスを伴うため、Ge(OH)2がGeO(g)とH2O(g)にクラッキングすることでGeO(g)が脱ガスすると考えられる。GeO(g)脱ガスの素過程における原料であるGeO(II)は耐酸性を持ち不溶性であるが、高温HCl溶液前処理でエッチング除去でき、GeO(g)脱ガスおよびJg劣化が無いhigh-k/Ge MOSデバイス作製の前処理として有効である。Ge酸化物制御、特にGeO(II)の制御が、high-k/Ge MOSデバイスの熱安定性および良好な電気的特性を保つための主要な課題である。 
(英) GeO(g) desorption temperature decreases with the increase in the ratio of GeO(II) in Ge oxide and is independent of the oxidation techniques. Since GeO(g) desorption is accompanied by H2O(g) desorption, it is appropriate to consider that Ge(OH)2 decomposes into GeO(g) and H2O(g). Although GeO(II) has a resistance against high concentration HF solution or HCl one, highly effective etching methods of Ge oxide, using HCl solution at high temperature has been demonstrated. Controlling Ge oxide, in particular GeO(II), is a key issue for the thermal stability of high-k/Ge MOS devices.
キーワード (和) ゲルマニウム / ゲルマニウム酸素 / 一酸化ゲルマニウム / 二酸化ゲルマニウム / ゲルマニウム水酸化物 / 三塩化水素ゲルマニウム / 四塩化ゲルマニウム /  
(英) Ge / Ge oxygen / Ge monoxide / Ge dioxide / Ge hydroxide / Ge hydrotrichloride / Ge tetrachloride /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-31, pp. 27-31, 2009年6月.
資料番号 SDM2009-31 
発行日 2009-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-06-19 - 2009-06-19 
開催地(和) 東京大学(生産研An棟) 
開催地(英) An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Ge MOSデバイスの熱安定性 
サブタイトル(和) Ge oxygen [GeO(g)]脱ガスにおけるGe monoxide [GeO(II)]の役割 
タイトル(英) Thermal Stability of Ge MOS Devices 
サブタイトル(英) Influence of Ge monoxide [GeO(II)] on Ge oxygen [GeO(g)] desorption 
キーワード(1)(和/英) ゲルマニウム / Ge  
キーワード(2)(和/英) ゲルマニウム酸素 / Ge oxygen  
キーワード(3)(和/英) 一酸化ゲルマニウム / Ge monoxide  
キーワード(4)(和/英) 二酸化ゲルマニウム / Ge dioxide  
キーワード(5)(和/英) ゲルマニウム水酸化物 / Ge hydroxide  
キーワード(6)(和/英) 三塩化水素ゲルマニウム / Ge hydrotrichloride  
キーワード(7)(和/英) 四塩化ゲルマニウム / Ge tetrachloride  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鎌田 善己 / Yoshiki Kamata / カマタ ヨシキ
第1著者 所属(和/英) MIRAI-東芝 (略称: MIRAI-東芝)
MIRAI-TOSHIBA (略称: MIRAI-TOSHIBA)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 高島 章 / Akira Takashima / タカシマ アキラ
第2著者 所属(和/英) 東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corporation (略称: TOSHIBA Corp)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 手塚 勉 / Tsutomu Tezuka / テヅカ ツトム
第3著者 所属(和/英) MIRAI-東芝 (略称: MIRAI-東芝)
MIRAI-TOSHIBA (略称: MIRAI-TOSHIBA)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第4著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2009-06-19 12:40:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-31 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.27-31 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2009-06-12 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会