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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-19 16:55
ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
五月女真一中山隆史千葉大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-43
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文献情報 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-43, pp. 93-97, 2009年6月.
資料番号 SDM2009-43 
発行日 2009-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-06-19 - 2009-06-19 
開催地(和) 東京大学(生産研An棟) 
開催地(英) An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Theoretical investigation about electronic structure of doping metal silicide 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 五月女 真一 / Shinichi Sotome /
第1著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 中山 隆史 / Takashi Nakayama /
第2著者 所属(和/英) 千葉大学 (略称: 千葉大)
Chiba University (略称: Chiba Univ)
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講演者
発表日時 2009-06-19 16:55:00 
発表時間
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-43 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.93-97 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-SDM-2009-06-12 


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