電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-19 16:00
High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ
小原孝介山下一郎奈良先端大)・八重樫利武茂庭昌弘吉丸正樹半導体理工学研究センター)・浦岡行治奈良先端大/JSTエレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-40
抄録 (和) 我々は生体由来の球殻タンパク質(フェリチン)を利用したドット型フローティングゲートメモリの実現を目指した研究を行っている。本研究はメモリの性能向上や大容量化を目的として, ゲート酸化膜に高誘電体材料(High-k)膜を利用したドット型フローティングゲート型MOSキャパシタおよびMOSFETの電気特性に関する評価を行った。その結果, ゲート酸化膜にHigh-k膜を利用したことによりメモリ特性が向上した。 
(英) The memory properties of nano-dot-type floating gate memories with Co bio-nanodots (Co-BNDs) embedded in HfO2 layer were investigated. High-density Co-BNDs were adsorbed on the HfO2 layer by using APTES. The memory window of the MOSFET with Co-BNDs embedded in the HfO2 layer was larger than that of the MOSFET with Co-BNDs embedded in SiO2 layer. We proposed the fabrication of a high-performance floating-gate type MOSFET with HfO2 by bio-nano process.
キーワード (和) フローティングゲートメモリ / フェリチン / バイオナノプロセス / High-k / MOSデバイス / / /  
(英) Floating gate memory / Ferritin / High-k / Bio-nano process / MOS devices / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-40, pp. 77-80, 2009年6月.
資料番号 SDM2009-40 
発行日 2009-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-06-19 - 2009-06-19 
開催地(和) 東京大学(生産研An棟) 
開催地(英) An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) High-k膜を利用したバイオ系ドット型フローティングゲートメモリ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Floating Gate Memory with Biomineralized Nanodots Embedded in High-k Gate Dielectric 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) フローティングゲートメモリ / Floating gate memory  
キーワード(2)(和/英) フェリチン / Ferritin  
キーワード(3)(和/英) バイオナノプロセス / High-k  
キーワード(4)(和/英) High-k / Bio-nano process  
キーワード(5)(和/英) MOSデバイス / MOS devices  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小原 孝介 / Kosuke Ohara / オハラ コウスケ
第1著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 山下 一郎 / Ichiro Yamashita / ヤマシタ イチロウ
第2著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学 (略称: 奈良先端大)
Nara Institute of Science and Technology (略称: NAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 八重樫 利武 / Toshitake Yaegashi / ヤエガシ トシタケ
第3著者 所属(和/英) 半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 茂庭 昌弘 / Masahiro Moniwa / モニワ マサヒロ
第4著者 所属(和/英) 半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉丸 正樹 / Masaki Yoshimaru / ヨシマル マサキ
第5著者 所属(和/英) 半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル
第6著者 所属(和/英) 奈良先端科学技術大学院大学/戦略的創造研究推進事業 (略称: 奈良先端大/JST)
Nara Institute of Science and Technology/Core Research for Evolutional Science and Technology (略称: NAIST/CREST)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2009-06-19 16:00:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-40 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.77-80 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-SDM-2009-06-12 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会