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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-19 15:20
10Gb/s,1.55um,EADFBレーザの広温度範囲(-25~100℃)SMF80km伝送
小林 亘荒井昌和山中孝之藤原直樹藤澤 剛都築 健田所貴志狩野文良NTTOPE2009-25 LQE2009-28 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-25 LQE2009-28
抄録 (和) 低消費電力で低コストな光通信用モジュールの実現の鍵となる、電界吸収型変調器集積DFBレーザのペルチェレス動作の実現を目的として、LD部とEA変調器部の活性層に温度耐性に優れたInGaAlAs系多重量子井戸を適用し、モノリシック集積した。作製した素子を用いて、-25℃~100℃の全温度領域において、動的消光比9dB以上、80kmシングルモードファイバ伝送後の受信感度劣化2dB以下を実現した。 
(英) An extended operating temperature range of 125C (-25 to 100℃), was demonstrated at 10-Gb/s for a 1.55-μm InGaAlAs uncooled EA modulator integrated DFB laser. An 80-km SMF transmission with a power penalty of below 2 dB and a dynamic extinction ratio of over 9 dB was achieved at all operating temperature.
キーワード (和) 電界吸収型変調器集積DFBレーザ / アンクールド / InGaAlAs / / / / /  
(英) Electroabsorption modulator integrated DFB laser / uncooled / InGaAlAs / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 93, LQE2009-28, pp. 51-54, 2009年6月.
資料番号 LQE2009-28 
発行日 2009-06-12 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2009-25 LQE2009-28 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-25 LQE2009-28

研究会情報
研究会 LQE OPE  
開催期間 2009-06-19 - 2009-06-19 
開催地(和) 機械振興会館6階66号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般 「材料デバイスサマーミーティング」 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2009-06-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 10Gb/s,1.55um,EADFBレーザの広温度範囲(-25~100℃)SMF80km伝送 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Wide Temperature Range (-25 to 100C) Operation of a 10-Gb/s, 1.55-m Electroabsorption Modulator Integrated DFB Laser for 80-km SMF Transmission 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 電界吸収型変調器集積DFBレーザ / Electroabsorption modulator integrated DFB laser  
キーワード(2)(和/英) アンクールド / uncooled  
キーワード(3)(和/英) InGaAlAs / InGaAlAs  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 小林 亘 / Wataru Kobayashi / コバヤシ ワタル
第1著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称: NTT Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 昌和 / Masakazu Arai / アライ マサカズ
第2著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称: NTT Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山中 孝之 / Takayuki Yamanaka / ヤマナカ タカユキ
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称: NTT Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤原 直樹 / Naoki Fujiwara / フジワラ ナオキ
第4著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称: NTT Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 藤澤 剛 / Takeshi Fujisawa / フジサワ タケシ
第5著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称: NTT Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 都築 健 / Ken Tsuzuki / ツヅキ ケン
第6著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称: NTT Corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 田所 貴志 / Takashi Tadokoro / タドコロ タカシ
第7著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称: NTT Corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 狩野 文良 / Fumiyoshi Kano / カノウ フミヨシ
第8著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Photonics Laboratories, NTT Corporation (略称: NTT Corp.)
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講演者
発表日時 2009-06-19 15:20:00 
発表時間 25 
申込先研究会 LQE 
資料番号 IEICE-OPE2009-25,IEICE-LQE2009-28 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.92(OPE), no.93(LQE) 
ページ範囲 pp.51-54 
ページ数 IEICE-4 
発行日 IEICE-OPE-2009-06-12,IEICE-LQE-2009-06-12 


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