電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
技報オンライン
‥‥ (ESS/通ソ/エレソ/ISS)
技報アーカイブ
‥‥ (エレソ/通ソ)
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-19 15:40
LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係
辰村光介石原貴光犬宮誠治中嶋一明金子明生後藤正和川中 繁木下敦寛東芝エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-39
抄録 (和) high-k/SiO2界面のダイポール変調に起因するリモートクーロン散乱(RCS)による移動度低下と閾値電圧シフト(ΔVt)との相関関係を、3通りのダイポール変調法、即ちAl添加、La添加、界面SiO2層の質の変化、を適応した系について調べた。ダイポール変調とは必ずしも関係しない界面準位増加やラフネス散乱増加に由来する散乱成分は実験的に抽出・分離した。Al添加によるダイポール変調に起因するRCSはΔVt増加に比例して増加する。一方、La添加に起因するRCSは一定値となり、ΔVtには依存しない。ΔVtに対する付加的散乱の不可避性をダイポール形成機構の2つのモデルに基づき議論する。 
(英) Intrinsic correlation between mobility reduction by remote Coulomb scattering (RCS) and threshold voltage shift (ΔVt), both of which are induced by interface dipole modulation at high-k/SiO2 interface, is investigated. Three types of dipole modulation are examined; Al addition, La addition, and changing quality of interfacial SiO2 layer. Extrinsic scattering components due to increases of interface state and surface roughness are extracted and separated. It is found that RCS due to interface dipole modulation by Al addition increases with increasing ΔVt, while that by La addition is constant, independent of ΔVt. Inevitability of additional scattering for ΔVt is discussed based on two different models for dipole formation mechanisms.
Keyword MISFET, high-k, interface dipole, mobility, threshold voltage, HfSiON, La addition, Al addition
キーワード (和) MISFET / high-k / 界面ダイポール / 移動度 / 閾値電圧 / HfSiON / La / Al  
(英) MISFET / high-k / interface dipole / mobility / threshold voltage / HfSiON / La / Al  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-39, pp. 71-76, 2009年6月.
資料番号 SDM2009-39 
発行日 2009-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-06-19 - 2009-06-19 
開催地(和) 東京大学(生産研An棟) 
開催地(英) An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) LaまたはAl添加によるHfSiOn/SiO2界面のダイポール変調に起因する移動度低下と閾値電圧シフトとの相関関係 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Intrinsic Correlation between Mobility Reduction and Vt shift due to Interface Dipole Modulation in HfSiON/SiO2 stack by La or Al addition 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) MISFET / MISFET  
キーワード(2)(和/英) high-k / high-k  
キーワード(3)(和/英) 界面ダイポール / interface dipole  
キーワード(4)(和/英) 移動度 / mobility  
キーワード(5)(和/英) 閾値電圧 / threshold voltage  
キーワード(6)(和/英) HfSiON / HfSiON  
キーワード(7)(和/英) La / La  
キーワード(8)(和/英) Al / Al  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 辰村 光介 / Kosuke Tatsumura / タツムラ コウスケ
第1著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 石原 貴光 / Takamitsu Ishihara / イシハラ タカミツ
第2著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 犬宮 誠治 / Seiji Inumiya / イヌミヤ セイジ
第3著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中嶋 一明 / Kazuaki Nakajima / ナカジマ カズアキ
第4著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 金子 明生 / Akio Kaneko / カネコ アキオ
第5著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 後藤 正和 / Masakazu Goto / ゴトウ マサカズ
第6著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 川中 繁 / Shigeru Kawanaka / カワナカ シゲル
第7著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 木下 敦寛 / Atsuhiro Kinoshita / キノシタ アツヒロ
第8著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
Toshiba Corporation (略称: Toshiba Corp.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者
発表日時 2009-06-19 15:40:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-39 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.71-76 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2009-06-12 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会