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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-19 16:20
BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3um波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ
八木英樹大西 裕辻 幸洋市川弘之吉永弘幸野間口俊夫平塚健二上坂勝己住友電工OPE2009-27 LQE2009-30 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-27 LQE2009-30
抄録 (和) 10Gbit/sを超える高速直接変調を目的として、BCB(ベンゾシクロブテン)埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3um波長帯AlGaInAs/InP 分布帰還(DFB)レーザを作製した。作製したレーザにおいて、20GHz以上の良好な回路帯域が得られ、BCB埋め込み構造による低容量化の効果を確認した。動作温度25℃では消光比6dB、26Gbit/s直接変調において、光出力波形の明瞭なアイ開口を観測し、さらに、消光比5dB、14Gbit/s直接変調では温度85℃までの無温調動作を達成した。以上の結果から、BCBを用いた平坦化プロセスによるリッジ導波路型レーザが、10Gbit/s超の高速直接変調をターゲットとした光源として、有望であることを明らかにした。 
(英) 1.3um AlGaInAs/InP distributed feedback (DFB) lasers with the ridge-waveguide structure buried by the benzocyclobutene (BCB) polymer were fabricated. The laser showed the wide electrical bandwidth of more than 20GHz owing to the low parasitic capacitance. A clear eye-opening was observed with the extinction ratio of 6dB in 26Gbit/s direct modulation at measurement temperature of 25℃. Furthermore, uncooled 14Gbit/s direct modulation with the extinction ratio of 5dB was also achieved up to the measurement temperature of 85℃. These results indicate that this device is very promising for the realization of transmitters with high-speed direct modulation of more than 10Gbit/s.
キーワード (和) BCB平坦化プロセス / AlGaInAs/InP / リッジ導波路構造 / DFBレーザ / / / /  
(英) BCB planarization process / AlGaInAs/InP / Ridge-waveguide structure / DFB laser / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 93, LQE2009-30, pp. 59-62, 2009年6月.
資料番号 LQE2009-30 
発行日 2009-06-12 (OPE, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2009-27 LQE2009-30 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2009-27 LQE2009-30

研究会情報
研究会 LQE OPE  
開催期間 2009-06-19 - 2009-06-19 
開催地(和) 機械振興会館6階66号室 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 量子効果デバイス(光信号処理、LD、光増幅、変調等)と集積化技術、一般 「材料デバイスサマーミーティング」 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2009-06-LQE-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3um波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) 1.3um AlGaInAs/InP DFB Lasers with Ridge-Waveguide Structure Buried by Benzocyclobutene Polymer 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) BCB平坦化プロセス / BCB planarization process  
キーワード(2)(和/英) AlGaInAs/InP / AlGaInAs/InP  
キーワード(3)(和/英) リッジ導波路構造 / Ridge-waveguide structure  
キーワード(4)(和/英) DFBレーザ / DFB laser  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 八木 英樹 / Hideki Yagi / ヤギ ヒデキ
第1著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, LTD. (略称: Sumitomo Electric Ind, LTD.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 大西 裕 / Yutaka Onishi / オオニシ ユタカ
第2著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, LTD. (略称: Sumitomo Electric Ind, LTD.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 辻 幸洋 / Yukihiro Tsuji / ツジ ユキヒロ
第3著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, LTD. (略称: Sumitomo Electric Ind, LTD.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 市川 弘之 / Hiroyuki Ichikawa / イチカワ ヒロユキ
第4著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, LTD. (略称: Sumitomo Electric Ind, LTD.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉永 弘幸 / Hiroyuki Yoshinaga / ヨシナガ ヒロユキ
第5著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, LTD. (略称: Sumitomo Electric Ind, LTD.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 野間口 俊夫 / Toshio Nomaguchi / ノマグチ トシオ
第6著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, LTD. (略称: Sumitomo Electric Ind, LTD.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 平塚 健二 / Kenji Hiratsuka / ヒラツカ ケンジ
第7著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, LTD. (略称: Sumitomo Electric Ind, LTD.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 上坂 勝己 / Katsumi Uesaka / ウエサカ カツミ
第8著者 所属(和/英) 住友電気工業株式会社 (略称: 住友電工)
Sumitomo Electric Industries, LTD. (略称: Sumitomo Electric Ind, LTD.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-19 16:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 OPE2009-27, LQE2009-30 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.92(OPE), no.93(LQE) 
ページ範囲 pp.59-62 
ページ数
発行日 2009-06-12 (OPE, LQE) 


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