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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-19 14:50 LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 ○坂下満男・加藤亮祐・京極真也・近藤博基・財満鎭明（名大）  SDM2009-37 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-37 |
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| 抄録 | （和） | GeチャネルMOSFETは高速動作および低電圧動作デバイスとして期待され、また一方で、high-k材料によるゲート絶縁膜はEOTの低減に有効であり、high-k／Ge構造のMOSFETは次世代デバイスとして有望視されている。しかしながら、high-kゲート絶縁膜とGe基板との界面反応によって、ゲート絶縁膜の誘電率は低下し、また、界面準位密度は増加する。そこで、high-kゲート絶縁膜とGe基板との界面にALD法によって形成した極薄のAl2O3界面制御層を挿入し、その効果について検討した。なお、本研究ではhigh-kゲート絶縁膜としてLaAlO膜を用いた。厚さ1 nm以下のAl2O3界面制御層によってGe界面での界面反応は効果的に抑制でき、界面反応によって形成されたGe-oxide層はAl2O3界面制御層の厚さの増加とともに減少することが分かった。また、0.4 nm程度の厚さのAl2O3界面制御層において界面準位密度の低減効果を確認した。さらに、600°Cの熱処理に対しても構造は変化せず、熱的にも安定であることが分かった。 |
| （英） | Ge channel MOSFET with high-k gate dielectric film attract much attention from a viewpoint of realizing high speed and low voltage operation devices. We have investigated effects of the ALD-Al2O3 layer on the interfacial reaction and the electronic characteristics of LaAlO/Al2O3/Ge MOS structures. Al2O3 interfacial layer with a thickness less than 1 nm effectively suppress the interfacial reaction between LaAlO and Ge. The thickness of Ge-oxide formed at the ALD-Al2O3/Ge interface decreases with increasing the Al2O3 thickness and the stack structure is thermally stable against the post-deposition annealing at 600°C. On the other hand, the capacitance equivalent oxide thickness decreases with increasing the interfacial ALD-Al2O3 thickness due to the decrease of amount of Ge-oxide formed at the interface. It can be concluded that ALD-Al2O3 is promising as an interfacial control layer between Ge substrates and high-k dielectrcs. | |
| キーワード | （和） | GeチャネルMOSFET / high-kゲート絶縁膜 / 界面制御層 / ALD / Al2O3 / LaAlO / / |
| （英） | Ge channel MOSFET / high-k gate dielectric film / interfacial control layer / ALD / Al2O3 / LaAlO / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-37, pp. 61-66, 2009年6月. | |
| 資料番号 | SDM2009-37 | |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2009-37 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2009-37 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2009-06-19 - 2009-06-19 |
| 開催地（和） | 東京大学（生産研An棟） |
| 開催地（英） | An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展－Ge系材料を中心に」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2009-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | LaAlO/Ge構造へのALD-Al2O3界面制御層挿入の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of ALD-Al2O3 Layer on Interfacial Reaction between LaAlO and Ge |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GeチャネルMOSFET / Ge channel MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | high-kゲート絶縁膜 / high-k gate dielectric film |
| キーワード(3)（和/英） | 界面制御層 / interfacial control layer |
| キーワード(4)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(5)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(6)（和/英） | LaAlO / LaAlO |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 坂下 満男 / Mitsuo Sakashita / サカシタ ミツオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 亮祐 / Ryosuke Kato / カトウ リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 京極 真也 / Shinya Kyogoku / キョウゴク シンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 博基 / Hiroki Kondo / コンドウ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 財満 鎭明 / Shigeaki Zaima / ザイマ シゲアイ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-19 14:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2009-37 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.61-66 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-12 (SDM) |
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