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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-19 10:50
GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術
渡部平司齊藤真里奈齊藤正一朗岡本 学朽木克博細井卓治小野倫也志村考功阪大SDM2009-29 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-29
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文献情報 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-29, pp. 15-20, 2009年6月.
資料番号 SDM2009-29 
発行日 2009-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
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研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-06-19 - 2009-06-19 
開催地(和) 東京大学(生産研An棟) 
開催地(英) An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) GeO2/Ge界面形成の物理と電気特性改善技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fundamental Study on GeO2/Ge Interface and its Electrical Properties 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 齊藤 真里奈 / Marina Saito / サイトウ マリナ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 齊藤 正一朗 / Shoichiro Saito / サイトウ ショウイチロウ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岡本 学 / Gaku Okamoto / オカモト ガク
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 朽木 克博 / Katsuhiro Kutsuki / クツキ カツヒロ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 細井 卓治 / Takuji Hosoi / ホソイ タクジ
第6著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 小野 倫也 / Tomoya Ono / オノ トモヤ
第7著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ
第8著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-06-19 10:50:00 
発表時間 30分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2009-29 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.15-20 
ページ数
発行日 2009-06-12 (SDM) 


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