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講演抄録/キーワード
講演名 2009-06-19 13:40
HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上
今庄秀人Hyun LeeDong-Hun Lee吉岡祐一金島 岳奥山雅則阪大エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-34
抄録 (和) 我々はGe表面へのF2処理により界面のダングリングボンドを終端することで電気的特性が改善されることを報告したが,ゲート絶縁膜を堆積した後,アニール処理をすることでF2処理の効果が小さくなるという問題があった.そこで,F2処理の効果を高めるために,堆積後,窒素ラジカル処理を行った.実験方法は, High-kゲート絶縁膜としてよく用いられているHfO2薄膜を光MOCVD法により作製した. F2処理はHfO2堆積直前にGe表面へF2(5%)ガスを曝すことで行った.窒素ラジカル処理はRF励起プラズマからイオンを取り除く事で行った.C-V,J-V特性の測定結果から,F2処理に窒素ラジカル処理を追加する事により更なる電気的特性の改善がみられた.さらに,HfO2/Ge MIS界面準位をDLTSにより評価した.その結果,窒素ラジカル処理により更なるバンドギャップ中の界面準位の低減が示され,有効である事が分かった. 
(英) The electrical properties and interface states have been improved by fluorine treatment on Ge, but there was a problem which is the degradation of the fluorine treatment effect by the annealing. Therefore, the nitrogen radical treatment is added to enhance the effect of fluorine treatment. HfO2 film as the high-k dielectrics was deposited by photo-assisted MOCVD. Fluorine treatment was taken by exposing surface of germanium to fluorine (5%) gas before deposition of HfO2 film. Nitrogen radical treatment was taken by RF plasma. From the results of C-V and J-V measurements, it could be concluded that fluorine and nitrogen radical treatment improves the electrical properties of HfO2/Ge MIS structure compared to fluorine treatment only. Moreover, the interface states have been evaluated by deep level transient spectroscopy (DLTS) method, which gives the interface trap density in the band-gap. The interface trap density in the band-gap of HfO2/Ge MIS structure was decreased by fluorine and nitrogen radical treatment compared to fluorine treatment only.
キーワード (和) F2処理 / 窒素ラジカル処理 / Deep level transient spectroscopy(DLTS) / HfO2/Ge MIS / 光MOCVD / / /  
(英) fluorine treatment / nitrogen radical treatment / deep level transient spectroscopy(DLTS) / HfO2/Ge MIS / photo-assisted MOCVD / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-34, pp. 45-50, 2009年6月.
資料番号 SDM2009-34 
発行日 2009-06-12 (SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM  
開催期間 2009-06-19 - 2009-06-19 
開催地(和) 東京大学(生産研An棟) 
開催地(英) An401・402 Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo 
テーマ(和) ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術(応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会、第113研究集会「ゲートスタック研究の進展-Ge系材料を中心に」との合同開催) 
テーマ(英) Science and Technology for Dielectric Thin Films for MIS Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-06-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) HfO2/Ge MIS構造のF2処理と窒素ラジカル処理による電気的特性の向上 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Improvement of electrical characteristics of HfO2/Ge MIS structure treated by fluorine gas and nitrogen radical 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) F2処理 / fluorine treatment  
キーワード(2)(和/英) 窒素ラジカル処理 / nitrogen radical treatment  
キーワード(3)(和/英) Deep level transient spectroscopy(DLTS) / deep level transient spectroscopy(DLTS)  
キーワード(4)(和/英) HfO2/Ge MIS / HfO2/Ge MIS  
キーワード(5)(和/英) 光MOCVD / photo-assisted MOCVD  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 今庄 秀人 / Hideto Imajo / イマジョウ ヒデト
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Hyun Lee / Hyun Lee / ヒュン イ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Dong-Hun Lee / Dong-Hun Lee / ドンフン イ
第3著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 吉岡 祐一 / Yuichi Yoshioka / ヨシオカ ユウイチ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 金島 岳 / Takeshi Kanashima / カナシマ タケシ
第5著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥山 雅則 / Masanori Okuyama / オクヤマ マサノリ
第6著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者
発表日時 2009-06-19 13:40:00 
発表時間 20 
申込先研究会 SDM 
資料番号 IEICE-SDM2009-34 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.87 
ページ範囲 pp.45-50 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-SDM-2009-06-12 


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