講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-06-19 15:10
低しきい値pMISFETに向けたAl2O3を堆積させたHfO2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討 ○諸岡 哲・松木武雄・三瀬信行・神山 聡・生田目俊秀・栄森貴尚・奈良安雄・由上二郎・池田和人・大路 譲(半導体先端テクノロジーズ) SDM2009-38 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-38 |
抄録 |
(和) |
Al2O3/HfO2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとVfb, EOT及びVtバラツキとの関係を調査した。Al2O3をHfO2/SiON膜に拡散させてVfbを十分にシフトさせるためにはAl2O3形成後(電極堆積前)に高温でアニールを行うことが必要であることを示した。また、Al2O3がHfO2/SiON膜に拡散にすることによりVtバラツキが増加するが、1050℃程度の高温アニールを行いHfO2/SiON界面のAl量を増加させることで Vtバラツキが抑制できることを示した。高温アニールによるEOT増加の懸念に対し、Al2O3堆積前と後のアニールを組み合わせたアニールプロセスを提案した。以上によりVtバラツキの増大及びEOTの増加を抑制しつつ、Vfbをシフトさせることが可能となった。 |
(英) |
We have systematically studied the effect of post deposition annealing (PDA) for Al2O3-capped HfO2 on flatband voltage (Vfb) shift and Vt variation, and clarified that process integration of gate dielectrics with the capping layer has a risk for additional Vt variation. However, we have found that higher temperature PDA process not only brings higher Vfb shift but also suppresses the Vt variation. High-temperature PDA also has a risk for EOT increase, but process combination of low-temperature annealing before Al2O3 deposition and high temperature PDA after Al2O3 deposition can suppress both the EOT increase and the Vt variation. |
キーワード |
(和) |
メタルゲート / High-kゲート絶縁膜 / pMISFET / Al2O3 / フラットバンド電圧 / バラツキ / / |
(英) |
metal gate / high-k gate dielectrics / pMISFET / Al2O3 / flatband voltage / variation / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 87, SDM2009-38, pp. 67-70, 2009年6月. |
資料番号 |
SDM2009-38 |
発行日 |
2009-06-12 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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