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| 講演名 | 2009-06-12 10:20 SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング ○武部直明・山下浩明・高橋新之助・齋藤尚史・小林 嵩・宮本恭幸・古屋一仁（東工大）  ED2009-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-46 |
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| 抄録 | （和） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)の高速化にとって、ベースコレクタ間容量$C_{\{BC}}$の削減は重要である。我々は$C_{\{BC}}$を削減するために、コレクタにSiO_2を埋め込んだSiO_2細線埋込HBT(BG-HBT)を提案している。コレクタに低誘電率のSiO_2を埋め込むことで$C_{\{BC}}$が削減され最大発振周波数が向上する。等価回路解析の結果、BG-HBTにおいて細線より上のコレクタ層厚を削減することが性能向上につながることがわかった。本研究では、細線埋込プロセスにCBr_4を使ったInPのin-situエッチングを導入し、細線上コレクタ厚の削減を試みた。幅200nm,厚さ100nmの細線埋め込みにおいて、エッチング面を平坦に保ったまま、細線上コレクタ厚を従来の1/4以下に削減することに成功した。エッチングによるInPへのC-ドーピングが、デバイス作製上影響がないことを確認した。 |
| （英） | In order to obtain high-speed InP heterojunction bipolar transistors (HBTs), it is necessary to reduce the base-collector capacitance ($C_{\{BC}}$) under the base electrode. Thus we proposed buried glass heterojunction bipolar transistor (BG-HBT) which had SiO_2 wires in the collector. By SiO_2 wires buried in the InP collector layer, we can obtain reduced $C_{\{BC}}$ because of its low dielectric constant. From equivalent circuit analysis, reduction of InP thickness over buried SiO_2 ($T_{\{top}}$) enhance the performance of BG-HBT. To realize such structure, we introduced in-situ etching of InP layer by introduction of CBr_4 after SiO_2 buried growth. Ttop was reduced to 1/4 by in-situ etching with the flat InP surface. We confirmed that C-doping by etching has no effect on fabrication of a BG-HBT by SIMS analysis. | |
| キーワード | （和） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / InP / MOVPE / SiO2細線 / CBr4 / / / |
| （英） | heterojunction bipolar transistor / InP / MOVPE / SiO2 wire / CBr4 / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 81, ED2009-46, pp. 51-55, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-46 | |
| 発行日 | 2009-06-04 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2009-06-11 - 2009-06-12 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2細線埋込InP系HBTにおけるCBr4を使ったIn-situエッチング |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | In-situ etching by CBr4 in InP heterojunction bipolar transistors with buried SiO2 wire |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ / heterojunction bipolar transistor |
| キーワード(2)（和/英） | InP / InP |
| キーワード(3)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(4)（和/英） | SiO2細線 / SiO2 wire |
| キーワード(5)（和/英） | CBr4 / CBr4 |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武部 直明 / Naoaki Takebe / タケベ ナオアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 浩明 / Hiroaki Yamashita / ヤマシタ ヒロアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 新之助 / Shinnosuke Takahashi / タカハシ シンノスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 尚史 / Hisashi Saito / サイトウ ヒサシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 嵩 / Takashi Kobayashi / コバヤシ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮本 恭幸 / Yasuyuki Miyamoto / ミヤモト ヤスユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古屋 一仁 / Kazuhito Furuya / フルヤ カズヒト |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Inst. of Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-12 10:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-46 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.81 |
| ページ範囲 | pp.51-55 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2009-06-04 (ED) |
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