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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-06-12 11:00 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性 ○丸井俊治・星 真一・戸田典彦・森野芳昭・伊藤正紀・大来英之・玉井 功・関 昇平（OKI）  ED2009-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-47 |
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| 抄録 | （和） | 近年故障時の安全性確保等の観点からノーマリオフ動作のAlGaN/GaN-HEMTの研究開発が進められている。しかしAlGaN/GaN-HEMTにおいては、AlGaN/GaNヘテロ界面に形成される高濃度2DEGを利用するため、ゲート直下部にリセス構造を用いても良好なノーマリオフ特性を得ることは困難であった。本稿ではゲートリセス後に熱CVD成長SiN膜を成長したゲートリセス構造MIS AlGaN/GaN-HEMTを用いることにより、しきい値電圧（Vth）= +0.62 V, 最大ドレイン電流（Idmax） = 0.52 A/mmの良好なノーマリオフ動作を確認した。また小信号特性の測定結果より、ノーマリオフ動作においてもfT = 11.1 GHz、fmax = 40.6 GHzの良好な高周波特性を得たので報告する。 |
| （英） | Normally-off characteristics are needed from the viewpoint of safety when AlGaN/GaN-HEMT applies for the high power switching applications. However, enhancement mode operation of AlGaN/GaN-HEMT is difficult because of its high density two dimensional electron gas (2DEG) at AlGaN/GaN heterostructure even if using the recessed gate structure. In this paper, we have achieved excellent normally-off performance of threshold voltage (Vth) of +0.62 V and maximum drain current (Idmax) of 0.52 A/mm by the MIS structure using thermal CVD SiN gate insulator film with recessed gate. We have also reported good RF characteristics of cut-off frequency (fT) of 11.1 GHz and maximum oscillation frequency (fmax) = 40.6 GHz in the devices. | |
| キーワード | （和） | AlGaN / GaN / HEMT / ゲートリセスMIS構造 / 熱CVD / SiN / ノーマリオフ / |
| （英） | AlGaN / GaN / HEMT / MIS structure with recessed gate / thermal CVD SiN insulator / normally off / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 81, ED2009-47, pp. 57-62, 2009年6月. | |
| 資料番号 | ED2009-47 | |
| 発行日 | 2009-06-04 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-47 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-47 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2009-06-11 - 2009-06-12 |
| 開催地（和） | 東京工業大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 熱CVD成長SiN膜を用いたゲートリセス構造MIS-AlGaN/GaN-HEMTの電気特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electric characteristics of recessed gate MIS-AlGaN/GaN-HEMT with a thermal CVD SiN gate insulator film. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(4)（和/英） | ゲートリセスMIS構造 / MIS structure with recessed gate |
| キーワード(5)（和/英） | 熱CVD / thermal CVD SiN insulator |
| キーワード(6)（和/英） | SiN / normally off |
| キーワード(7)（和/英） | ノーマリオフ / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸井 俊治 / Toshiharu Marui / マルイ トシハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co.,Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co.,Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 星 真一 / Shinichi Hoshi / ホシ シンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co.,Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co.,Ltd.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 戸田 典彦 / Fumihiko Toda / トダ フミヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co.,Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co.,Ltd.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森野 芳昭 / Yoshiaki Morino / モリノ ヨシアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co.,Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co.,Ltd.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 正紀 / Masanori Itoh / イトウ マサノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co.,Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co.,Ltd.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大来 英之 / Hideyuki Okita / オオキタ ヒデユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co.,Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co.,Ltd.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 玉井 功 / Isao Tamai / タマイ イサオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co.,Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co.,Ltd.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関 昇平 / Shohei Seki / セキ ショウヘイ |
| 第8著者 所属（和/英） | 沖電気工業 (略称： OKI) Oki Electric Industry Co.,Ltd. (略称： Oki Electric Industry Co.,Ltd.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-06-12 11:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-47 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.81 |
| ページ範囲 | pp.57-62 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-06-04 (ED) |
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