講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-05-22 10:50
非対称三重結合量子井戸における電気光学効果 ○江間研自・遠藤 航・荒川太郎(横浜国大)・多田邦雄(金沢工大) LQE2009-6 エレソ技報アーカイブへのリンク:LQE2009-6 |
抄録 |
(和) |
低電界印加で大きな電界誘起屈折率変化が得られると予想される非対称三重結合量子井戸(ATCQW)を提案し,その電界誘起屈折率変化特性について議論する.ATCQWはこれまで報告してきた五層非対称結合量子井戸(FACQW) と似た構造を有するが,電界誘起屈折率変化はFACQWのそれよりも更に大きくなる可能性があり,超高速・低電圧動作型光変調器・光スイッチ等への応用が期待できる.本稿では,0.9$micro$m帯用としてGaAs/AlGaAs ATCQW,1.55$micro$m帯用としてInGaAs/InAlAs ATCQWについて報告する.前者については,理論解析および分子線エピタキシー法により成長した試料の光吸収電流測定を行い,吸収端よりも長波長側の広い透明波長領域において,巨大な電界誘起屈折率変化が生じる可能性があることがわかった.また,後者についても,理論解析の結果,GaAs/AlGaAs ATCQWと同様,巨大な屈折率変化が期待できることがわかった. |
(英) |
An asymmetric triply coupled quantum well (ATCQW) was proposed and its electrorefractive effect was discussed. The ATCQW has a structure similar to a five-layer asymmetric coupled quantum well (FACQW), but is expected to exhibit larger electrorefractive index change than the FACQW does. The electrorefractive effects in GaAs/AlGaAs ATCQW for 0.9 micron and InGaAs/InAlAs ATCQW for 1.55 micron were analyzed and it was found that several times larger electrorefractive index change can be obtained in the ATCQWs than that in the FACQW. The GaAs/AlGaAs ATCQW was grown by molecular beam epitaxy (MBE) and was characterized by photo-absorption current measurement. Its result was consistent with the calculated. The ATCQW is a promising structure for high-speed and low voltage modulators and switches. |
キーワード |
(和) |
量子井戸 / GaAs / InGaAs / 非対称三重結合量子井戸 / 光変調器 / 光スイッチ / 電界誘起屈折率変化 / |
(英) |
Quantum Well / GaAs / InGaAs / Asymmetric Triple coupled Quantum Well / Optical Modulator / Optical Switch / Electrorefractive Effect / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 49, LQE2009-6, pp. 27-32, 2009年5月. |
資料番号 |
LQE2009-6 |
発行日 |
2009-05-15 (LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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