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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2009-05-15 10:55 p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 ○光吉三郎・梅野和行・浦上法之・岡田 浩・古川雄三・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 |
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| 抄録 | （和） | 分子線エピタキシー(MBE)法により成長したMg添加p-GaPNの発光特性を検討した。正孔濃度1×1017 cm-3以上において、正孔濃度が増加するにつれて、p-GaPNのバンド端近傍の発光強度およびバンド端近傍における実効減衰寿命は減少した。これらの結果は、正孔濃度に対応するMg濃度の増加により、非発光再結合中心が増加することを示すと考えられる。格子整合系Si上レーザの実現に向けた、変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸に適用するMg添加p-GaPNの適切な正孔濃度は、1×1017 cm-3以下であることを実現的に示した。 |
| （英） | We investigated the luminescence properties of Mg-doped p-GaPN alloys grown by molecular beam eitaxy (MBE). The near band edge emission intensity and the effective decay lifetime decrease with increasing the hole concentration of above 1×1017 cm-3. These results indicate non-radiative recombination centers increase with increasing the Mg concentration corresponding to the hole concentration. It was shown that the appropriate hole concentration of the Mg-doped p-GaPN barrier layer which applied to modulation doped highly-strained GaAsN/GaPN quantum wells is less than 1×1017 cm-3. | |
| キーワード | （和） | Si / 光電子融合システム / III-V-N / GaPN / GaAsN / GaNAs / 変調ドープ / 高歪量子井戸 |
| （英） | Si / OEIC / III-V-N / GaPN / GaAsN / GaNAs / modulation doped / highly-strained quantum well | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 109, no. 23, ED2009-30, pp. 65-70, 2009年5月. | |
| 資料番号 | ED2009-30 | |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2009-30 CPM2009-20 SDM2009-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED CPM SDM |
| 開催期間 | 2009-05-14 - 2009-05-15 |
| 開催地（和） | 豊橋技科大サテライトオフィス |
| 開催地（英） | Satellite Office, Toyohashi Univ. of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2009-05-ED-CPM-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Luminescence dynamics of p-GaPN alloys and application for modulation doped highly-strained GaAsN/GaPN quantum wells. |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(2)（和/英） | 光電子融合システム / OEIC |
| キーワード(3)（和/英） | III-V-N / III-V-N |
| キーワード(4)（和/英） | GaPN / GaPN |
| キーワード(5)（和/英） | GaAsN / GaAsN |
| キーワード(6)（和/英） | GaNAs / GaNAs |
| キーワード(7)（和/英） | 変調ドープ / modulation doped |
| キーワード(8)（和/英） | 高歪量子井戸 / highly-strained quantum well |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 光吉 三郎 / Saburo Mitsuyoshi / ミツヨシ サブロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梅野 和行 / Kazuyuki Umeno / ウメノ カズユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦上 法之 / Noriyuki Urakami / ウラカミ ノリユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 雄三 / Yuzo Furukawa / フルカワ ユウゾウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第6著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. of Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2009-05-15 10:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2009-30, CPM2009-20, SDM2009-20 |
| 巻番号（vol） | vol.109 |
| 号番号（no） | no.23(ED), no.24(CPM), no.25(SDM) |
| ページ範囲 | pp.65-70 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |
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