講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-05-15 13:25
MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長 ○馬 ベイ・宮川鈴衣奈・胡 衛国・三宅秀人・平松和政(三重大) ED2009-33 CPM2009-23 SDM2009-23 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-33 CPM2009-23 SDM2009-23 |
抄録 |
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キーワード |
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文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 24, CPM2009-23, pp. 83-86, 2009年5月. |
資料番号 |
CPM2009-23 |
発行日 |
2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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研究会情報 |
研究会 |
ED CPM SDM |
開催期間 |
2009-05-14 - 2009-05-15 |
開催地(和) |
豊橋技科大サテライトオフィス |
開催地(英) |
Satellite Office, Toyohashi Univ. of Technology |
テーマ(和) |
結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料) |
テーマ(英) |
Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
CPM |
会議コード |
2009-05-ED-CPM-SDM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
a-plane GaN grown on r-plane sapphire by MOVPE |
サブタイトル(英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
馬 ベイ / Bei Ma / マ ベイ |
第1著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
MieUniversity (略称: Mie Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宮川 鈴衣奈 / Reina Miyagawa / ミヤガワ レイナ |
第2著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
MieUniversity (略称: Mie Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
胡 衛国 / Weiguo Hu / フ ウェイグォ |
第3著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
MieUniversity (略称: Mie Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
三宅 秀人 / Hideto Miyake / ミヤケ ヒデト |
第4著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
MieUniversity (略称: Mie Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
平松 和政 / Kazumasa Hiramatsu / ヒラマツ カズマサ |
第5著者 所属(和/英) |
三重大学 (略称: 三重大)
MieUniversity (略称: Mie Univ.) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 所属(和/英) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2009-05-15 13:25:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
CPM |
資料番号 |
ED2009-33, CPM2009-23, SDM2009-23 |
巻番号(vol) |
vol.109 |
号番号(no) |
no.23(ED), no.24(CPM), no.25(SDM) |
ページ範囲 |
pp.83-86 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |