講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-05-14 16:40
マグネトロンスパッタによるSiO2基板上への微結晶SiGeの堆積 ○廣江昭彦・後藤哲也・寺本章伸・大見忠弘(東北大) ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-25 CPM2009-15 SDM2009-15 |
抄録 |
(和) |
マグネトロンスパッタを用いて、微結晶Si1-xGex (x~0.8)をSiO2基板上に堆積することに成功した。デポ条件を検討した結果、基板温度がSi1-xGexの融点の約半分の温度である300℃で結晶化が始まる事を見出した。これは、スパッタ時に原子の表面マイグレーションが起こる温度と対応している。基板バイアスの効果に関して検討を行ったところ、基板温度350℃では基板バイアスにより結晶性の低下が観測されたが、300℃では結晶性を改善出来る事が確認された。 |
(英) |
Microcrystalline Si1-xGex (x~0.8) has been successfully deposited over SiO2 substrates by magnetron sputtering. Detailed investigation about the deposition condition revealed that crystalline phase begins to form at about 300°C, which roughly correspond to half the melting temperature of the material where surface migration of deposited atom starts to take place. Substrate bias effect was also investigated, which showed the degradation of crystallinity for the substrate temperature of 350°C while improvement of crystallinity was found for 300°C samples. |
キーワード |
(和) |
マグネトロンスパッタ / 微結晶SiGe / 薄膜トランジスタ / / / / / |
(英) |
magnetron sputter / microcrystalline SiGe / thin film transistor / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 25, SDM2009-15, pp. 37-42, 2009年5月. |
資料番号 |
SDM2009-15 |
発行日 |
2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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研究会情報 |
研究会 |
ED CPM SDM |
開催期間 |
2009-05-14 - 2009-05-15 |
開催地(和) |
豊橋技科大サテライトオフィス |
開催地(英) |
Satellite Office, Toyohashi Univ. of Technology |
テーマ(和) |
結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料) |
テーマ(英) |
Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2009-05-ED-CPM-SDM |
本文の言語 |
英語(日本語タイトルあり) |
タイトル(和) |
マグネトロンスパッタによるSiO2基板上への微結晶SiGeの堆積 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Deposition of Microcrystalline SiGe by Magnetron Sputtering on SiO2 Substrates |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
マグネトロンスパッタ / magnetron sputter |
キーワード(2)(和/英) |
微結晶SiGe / microcrystalline SiGe |
キーワード(3)(和/英) |
薄膜トランジスタ / thin film transistor |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
廣江 昭彦 / Akihiko Hiroe / ヒロエ アキヒコ |
第1著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
後藤 哲也 / Tetsuya Goto / ゴトウ テツヤ |
第2著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
寺本 章伸 / Akinobu Teramoto / テラモト アキノブ |
第3著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
大見 忠弘 / Tadahiro Ohmi / オオミ タダヒロ |
第4著者 所属(和/英) |
東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2009-05-14 16:40:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
ED2009-25, CPM2009-15, SDM2009-15 |
巻番号(vol) |
vol.109 |
号番号(no) |
no.23(ED), no.24(CPM), no.25(SDM) |
ページ範囲 |
pp.37-42 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2009-05-07 (ED, CPM, SDM) |