講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-04-24 17:05
プラズマCVD-Si膜の金属誘起横方向固相結晶化とTFT特性 ○過能慎太郎・永田 翔・中川 豪・浅野種正(九大) SDM2009-7 OME2009-7 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-7 OME2009-7 |
抄録 |
(和) |
プラズマCVD法で堆積した非晶質Siを固相結晶化した場合、超高真空法で蒸着した非晶質Si膜の場合に比べ、結晶核の形成とその成長にいたる過程が明確に観察されにくい。また、結晶化した多結晶Si膜にTFTを作製してもキャリヤ移動度が小さな特性となってしまう。本論文では、プラズマCVD膜に金属誘起横方向結晶化(Metal Induced Lataral Crystallization: MILC)を適用すると、超高真空蒸着膜の場合に近い成長特性を示すとともに、キャリヤ移動度も向上することを示す。また、非晶質Si膜を予めパターニングしてMILCを適用しグレインフィルタリングを試みた結果についても述べる。 |
(英) |
In the case of solid phase crystallization of amorphous Si (a-Si) deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD), it is difficult to clearly observe the spontaneous nucleation and growth in contrast to the case of a-Si films deposited by evaporation in ultra-high vacuum. The polycrystalline films thus crystallized from PECVD deposited a-Si films show small carrier mobility when they are applied to TFTs. In this paper, metal induced lateral crystallization (MILC) has been applied to a-Si films prepared by PECVD. It has better carrier mobility and a similar growth characteristic to the film crystallized from a-Si deposited in ultra-high vacuum. Results of an attempt of grain filtering carried out by patterning a-Si films prior to MILC are also described. |
キーワード |
(和) |
多結晶シリコン / 薄膜トランジスタ / プラズマCVD / 金属誘起横方向結晶化 / MILC / / / |
(英) |
polycrystalline silicon / thin film transistor / plasma-enhanced chemical vapor deposition / metal induced lateral crystallization / MILC / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 19, SDM2009-7, pp. 29-34, 2009年4月. |
資料番号 |
SDM2009-7 |
発行日 |
2009-04-17 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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