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講演抄録/キーワード
講演名 2009-04-24 09:50
Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術
半田浩之宮本 優齋藤英司吹留博一伊藤 隆東北大)・末光眞希東北大/JSTエレソ技報アーカイブへのリンク:ED2009-10
抄録 (和) 近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている.しかしポストCMOS材料としての適用を考慮すると,Si基板の導入と量産性に優れた成長技術が不可欠である.その要求に応えるため,我々は有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長とその表面改質によるグラフェン形成,いわゆるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術を開発した. 
(英) With its industrial adaptability, epitaxial graphene, a graphene film formed by UHV annealing of SiC bulk substrates, is attracting recent attention. Still, a growth technique that allows formation of graphene films on Si substrates is strongly demanded when we want to utilize graphene as a post-CMOS material. To this goal, we have developed a growth technique of graphene on Si substrates by using an epitaxial film of 3C-SiC formed by organosilane gas-source MBE and its subsequent surface modification.
キーワード (和) グラフェン / Si / 3C-SiC / 有機シラン / ガスソースMBE / / /  
(英) Graphene / Si / 3C-SiC / Organosilane / Gas-source MBE / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 16, ED2009-10, pp. 39-43, 2009年4月.
資料番号 ED2009-10 
発行日 2009-04-16 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2009-04-23 - 2009-04-24 
開催地(和) 東北大学電気通信研究所 
開催地(英) Tohoku Univ. 
テーマ(和) TFT(有機、酸化物)、一般 
テーマ(英) TFT, etc 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-04-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Graphene-on-silicon (GOS) technology for formation of high-mobility ultrathin channel layer on Si substrate 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) グラフェン / Graphene  
キーワード(2)(和/英) Si / Si  
キーワード(3)(和/英) 3C-SiC / 3C-SiC  
キーワード(4)(和/英) 有機シラン / Organosilane  
キーワード(5)(和/英) ガスソースMBE / Gas-source MBE  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 半田 浩之 / Hiroyuki Handa / ハンダ ヒロユキ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 優 / Yu Miyamoto / ミヤモト ユウ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 齋藤 英司 / Eiji Saito / サイトウ エイジ
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 吹留 博一 / Hirokazu Fukidome / フキドメ ヒロカズ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 伊藤 隆 / Takashi Ito / イトウ タカシ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ
第6著者 所属(和/英) 東北大学/戦略的創造研究推進事業 (略称: 東北大/JST)
Tohoku University/JST (略称: Tohoku Univ./JST)
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講演者
発表日時 2009-04-24 09:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2009-10 
巻番号(vol) IEICE-109 
号番号(no) no.16 
ページ範囲 pp.39-43 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-ED-2009-04-16 


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