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講演抄録/キーワード
講演名 2009-04-24 13:55
Phenyl C61-Butyric acid Methyl ester(PCBM)溶液の形成プロセスとn型FET特性
濱地孝輔森田壮臣永松秀一高嶋 授九工大)・桑島修一郎京大)・金藤敬一九工大SDM2009-1 OME2009-1 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-1 OME2009-1
抄録 (和) 溶液からの成膜法により形成される数少ないn型有機半導体材料である、可溶性フラーレン誘導体[6.6]-Phenyl C61-Butyric acid Methyl ester(PCBM)を活性層とするn型有機電界効果トランジスタ(OFET)のFET特性と、溶液の攪拌時間との相関について調査した。攪拌時間の増加と共に、オフ電流は大きく変動し、約3時間程度の攪拌によりオフ電流は最小となり、これに伴い最大のオンオフ比が得られた。 
(英) We investigated the preparation dependence on the electronic characteristics of n-type organic field-effect transistors (OFETs) consisted of [6.6]-Phenyl C61-Butyric acid Methyl ester (PCBM) as active layer. Although field-effect mobility, threshold voltage and on-current were almost stationary, the off-current was strongly changed with the agitation time of the solution. A cluster distribution model has been proposed to explain the results.
キーワード (和) OFET / n型 / フラーレン / PCBM / クラスタ / 溶液 / /  
(英) OFET / n-type / fullerene / PCBM / cluster / solution / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 20, OME2009-1, pp. 1-4, 2009年4月.
資料番号 OME2009-1 
発行日 2009-04-17 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2009-1 OME2009-1 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2009-1 OME2009-1

研究会情報
研究会 OME SDM  
開催期間 2009-04-24 - 2009-04-24 
開催地(和) 産総研九州センター大会議室 
開催地(英) AIST Kyushu-center 
テーマ(和) 薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術および一般 
テーマ(英) TFT Materials, Devices, Applications, Analysis and Others related to SDM and OME activity 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2009-04-OME-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Phenyl C61-Butyric acid Methyl ester(PCBM)溶液の形成プロセスとn型FET特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Solution preparation effect on n-type field-effect-transistor characteristics using PCBM 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) OFET / OFET  
キーワード(2)(和/英) n型 / n-type  
キーワード(3)(和/英) フラーレン / fullerene  
キーワード(4)(和/英) PCBM / PCBM  
キーワード(5)(和/英) クラスタ / cluster  
キーワード(6)(和/英) 溶液 / solution  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 濱地 孝輔 / Kosuke Hamachi / ハマチ コウスケ
第1著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 森田 壮臣 / Takeomi Morita / モリタ タケオミ
第2著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 永松 秀一 / Shuichi Nagamatsu / ナガマツ シュウイチ
第3著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 高嶋 授 / Wataru Takashima / タカシマ ワタル
第4著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 桑島 修一郎 / Shuishiro Kuwajima / クワジマ シュウイチロウ
第5著者 所属(和/英) 京都大学 (略称: 京大)
Kyoto University (略称: Kyoto Uni.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 金藤 敬一 / Keiichi Kaneto / カネトウ ケイイチ
第6著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: Kyushu Inst. of Tech.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-04-24 13:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 SDM2009-1, OME2009-1 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.19(SDM), no.20(OME) 
ページ範囲 pp.1-4 
ページ数
発行日 2009-04-17 (SDM, OME) 


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