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講演抄録/キーワード
講演名 2009-04-14 13:50
[依頼講演]7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー
本間充祥東芝)・Cuong Trinhサンディスク)・柴田 昇中野 威小川幹雄佐藤順平竹山嘉和磯部克明東芝)・Binh LeFarookh MoogatNima MokhlesiKenji KozakaiPatrick HongTeruhiko Kameiサンディスク)・岩佐清明東芝ICD2009-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-9
抄録 (和) 43nmの製造プロセスを用いて4ビット/セルの多値技術を持ったNANDフラッシュメモリーを開発した。1チップの容量としては世界最大の64ギガビットを実現している。1メモリセルに16値の閾値を書き込むため、3ステップ書き込み(TSP)方式や連続センス方式(SSC)を導入して高速で細い閾値分布を得ることが出来た。これにより書き込み速度は7.8MB/sを実現している。 
(英) A 4bit/cell with 43nm CMOS technology NAND flash memory is realized.
64Gb/die is largest capacity.
To achieve 16 level cell, we adapted three step programming (TSP) and sequential sense method (SSC).
As a result, we realized 7.8MB/s with 4bit/cell.
キーワード (和) NANDフラッシュメモリー / 43nm CMOS 技術 / 4ビット/セル / / / / /  
(英) NAND Flash memory / 43nm CMOS Technology / 4 bit/cell / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-9, pp. 43-46, 2009年4月.
資料番号 ICD2009-9 
発行日 2009-04-06 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2009-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-9

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2009-04-13 - 2009-04-14 
開催地(和) 大観荘(宮城県松島町) 
開催地(英) Daikanso (Matsushima, Miyagi) 
テーマ(和) メモリ技術 
テーマ(英) Semiconductor Memory Technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2009-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) [依頼講演]7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A 7.8MB/s 64Gb 4bit/Cell NAND Flash Memory in 43nm CMOS 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) NANDフラッシュメモリー / NAND Flash memory  
キーワード(2)(和/英) 43nm CMOS 技術 / 43nm CMOS Technology  
キーワード(3)(和/英) 4ビット/セル / 4 bit/cell  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 本間 充祥 / Mitsuaki Honma / ホンマ ミツアキ
第1著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corp. (略称: Toshiba Corp.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Cuong Trinh / Cuong Trinh /
第2著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation.. (略称: SanDisk Corp.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 柴田 昇 / Noboru Shibata / シバタ ノボル
第3著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corp. (略称: Toshiba Corp.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 中野 威 / Takeshi Nakai / ナカノ タケシ
第4著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corp. (略称: Toshiba Corp.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 小川 幹雄 / Mikio Ogawa / オガワ ミキオ
第5著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corp. (略称: Toshiba Corp.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 順平 / Junpei Sato / サトウ ジュンペイ
第6著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corp. (略称: Toshiba Corp.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 竹山 嘉和 / Yoshikazu Takeyama / タケヤマ ヨシカズ
第7著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corp. (略称: Toshiba Corp.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 磯部 克明 / Katsuaki Isobe / イソベ カツアキ
第8著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corp. (略称: Toshiba Corp.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) Binh Le / Binh Le /
第9著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation.. (略称: SanDisk Corp.)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) Farookh Moogat / Farookh Moogat /
第10著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation.. (略称: SanDisk Corp.)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) Nima Mokhlesi / Nima Mokhlesi /
第11著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation.. (略称: SanDisk Corp.)
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) Kenji Kozakai / Kenji Kozakai /
第12著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation.. (略称: SanDisk Corp.)
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) Patrick Hong / Patrick Hong /
第13著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation.. (略称: SanDisk Corp.)
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) Teruhiko Kamei / Teruhiko Kamei /
第14著者 所属(和/英) サンディスクコーポレーション (略称: サンディスク)
SanDisk Corporation.. (略称: SanDisk Corp.)
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩佐 清明 / Kiyoaki Iwasa / イワサ キヨアキ
第15著者 所属(和/英) (株)東芝 (略称: 東芝)
TOSHIBA Corp. (略称: Toshiba Corp.)
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
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講演者 第1著者 
発表日時 2009-04-14 13:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2009-9 
巻番号(vol) vol.109 
号番号(no) no.2 
ページ範囲 pp.43-46 
ページ数
発行日 2009-04-06 (ICD) 


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