講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-04-14 13:50
[依頼講演]7.8MB/sを実現する64Gb4ビット/セル43nm NANDフラッシュメモリー ○本間充祥(東芝)・Cuong Trinh(サンディスク)・柴田 昇・中野 威・小川幹雄・佐藤順平・竹山嘉和・磯部克明(東芝)・Binh Le・Farookh Moogat・Nima Mokhlesi・Kenji Kozakai・Patrick Hong・Teruhiko Kamei(サンディスク)・岩佐清明(東芝) ICD2009-9 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2009-9 |
抄録 |
(和) |
43nmの製造プロセスを用いて4ビット/セルの多値技術を持ったNANDフラッシュメモリーを開発した。1チップの容量としては世界最大の64ギガビットを実現している。1メモリセルに16値の閾値を書き込むため、3ステップ書き込み(TSP)方式や連続センス方式(SSC)を導入して高速で細い閾値分布を得ることが出来た。これにより書き込み速度は7.8MB/sを実現している。 |
(英) |
A 4bit/cell with 43nm CMOS technology NAND flash memory is realized.
64Gb/die is largest capacity.
To achieve 16 level cell, we adapted three step programming (TSP) and sequential sense method (SSC).
As a result, we realized 7.8MB/s with 4bit/cell. |
キーワード |
(和) |
NANDフラッシュメモリー / 43nm CMOS 技術 / 4ビット/セル / / / / / |
(英) |
NAND Flash memory / 43nm CMOS Technology / 4 bit/cell / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 109, no. 2, ICD2009-9, pp. 43-46, 2009年4月. |
資料番号 |
ICD2009-9 |
発行日 |
2009-04-06 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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