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講演抄録/キーワード
講演名 2009-03-13 14:50
サブスレッショルド領域で動作するDTMOS動作方式を用いた低電力システムLSIの検討
鶴窪 淳渡辺重佳湘南工科大
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抄録 (和) 本論文では、サブスレッショルド領域で動作するDTMOS型のインバータの動作速度と消費電力をしきい値電圧が一定の通常動作と比較した。その結果、通常動作時のしきい値電圧が高いほど高速化、低消費電力化される結果が得られた。 
(英) The effect of a basic inverter circuit that applied the DTMOS operation method to the Sub-threshold operation area by using the value of a different threshold voltage was estimated. The effect of speed-up and low-power consumption were able to be enlarged by introducing the DTMOS operation, and the tendency was strong for the value of the threshold to rise.
キーワード (和) サブスレッショルド動作領域 / DTMOS動作方式 / しきい値電圧 / 遅延時間 / 消費電力 / / /  
(英) sub-threshold operation / DTMOS / threshold voltage / Delay time / power consumption / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 478, VLD2008-166, pp. 237-241, 2009年3月.
資料番号 VLD2008-166 
発行日 2009-03-04 (VLD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380

研究会情報
研究会 VLD  
開催期間 2009-03-11 - 2009-03-13 
開催地(和) 沖縄県男女共同参画センター 
開催地(英)  
テーマ(和) システムオンシリコンを支える設計技術 
テーマ(英) Design Technology for a System-on-Silicon 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 VLD 
会議コード 2009-03-VLD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) サブスレッショルド領域で動作するDTMOS動作方式を用いた低電力システムLSIの検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Study of high-speed low-power system LSI for sub-threshold operation 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) サブスレッショルド動作領域 / sub-threshold operation  
キーワード(2)(和/英) DTMOS動作方式 / DTMOS  
キーワード(3)(和/英) しきい値電圧 / threshold voltage  
キーワード(4)(和/英) 遅延時間 / Delay time  
キーワード(5)(和/英) 消費電力 / power consumption  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 鶴窪 淳 / Makoto Tsurukubo / ツルクボ マコト
第1著者 所属(和/英) 湘南工科大学大学院 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology Graduate school (略称: Shonan Inst. of Tech Graduate school)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渡辺 重佳 / Shigeyoshi Watanabe /
第2著者 所属(和/英) 湘南工科大学大学院 (略称: 湘南工科大)
Shonan Institute of Technology Graduate school (略称: Shonan Inst. of Tech Graduate school)
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講演者
発表日時 2009-03-13 14:50:00 
発表時間 25 
申込先研究会 VLD 
資料番号 IEICE-VLD2008-166 
巻番号(vol) IEICE-108 
号番号(no) no.478 
ページ範囲 pp.237-241 
ページ数 IEICE-5 
発行日 IEICE-VLD-2009-03-04 


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