講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-02-27 11:45
高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性 ○池田浩也・ファイズ サレ・浅井清涼・石田明広(静岡大) ED2008-238 SDM2008-230 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-238 SDM2008-230 |
抄録 |
(和) |
実用化に対して十分な変換効率を持つ熱電変換デバイスのための材料として,シリコンナノ構造に注目し ている.我々は,電子の閉じ込め効果による変換効率の向上を実験的に明らかにするために,様々な膜厚とキャリア 密度を持つ極薄 SOI 基板についてゼーベック係数の測定を行った.本報告では,測定系の改良により測定精度の向上 を図るとともに,極薄シリコン膜のゼーベック係数を予測するために,ボルツマン輸送方程式に基づいた理論計算を 行った.また,ナノメートルサイズの試料の熱電特性を測定するための新手法として,表面電位顕微鏡(KFM)を用 いたゼーベック係数の測定にも着手した. |
(英) |
In order to develop a high-efficiency thermoelectric device, we have investigated the thermoelectric characteristics of Si nanostructures. We have measured the Seebeck coefficient for ultrathin SOI (silicon on insulator) layers with various thickness and carrier concentration to clarify the electron confinement effect in the thermoelectric characteristics. In the present paper, we show the theoretically-evaluated Seebeck coefficient for Si, based on the Boltzmann transport equation, and demonstrate a new method for the Seebeck-coefficient measurement using a KFM (Kelvin-probe force microscopy) technique. |
キーワード |
(和) |
熱電変換材料 / ナノ構造 / SOI基板 / ゼーベック係数 / 表面電位顕微鏡(KFM) / / / |
(英) |
thermoelectricity / nanostructure / SOI wafer / Seebeck coefficient / Kelvin-probe force microscope / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 438, SDM2008-230, pp. 81-85, 2009年2月. |
資料番号 |
SDM2008-230 |
発行日 |
2009-02-19 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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