お知らせ 2023年度・2024年度 学生員 会費割引キャンペーン実施中です
お知らせ 技術研究報告と和文論文誌Cの同時投稿施策(掲載料1割引き)について
お知らせ 電子情報通信学会における研究会開催について
お知らせ NEW 参加費の返金について
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2009-02-27 11:45
高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性
池田浩也ファイズ サレ浅井清涼石田明広静岡大ED2008-238 SDM2008-230 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-238 SDM2008-230
抄録 (和) 実用化に対して十分な変換効率を持つ熱電変換デバイスのための材料として,シリコンナノ構造に注目し ている.我々は,電子の閉じ込め効果による変換効率の向上を実験的に明らかにするために,様々な膜厚とキャリア 密度を持つ極薄 SOI 基板についてゼーベック係数の測定を行った.本報告では,測定系の改良により測定精度の向上 を図るとともに,極薄シリコン膜のゼーベック係数を予測するために,ボルツマン輸送方程式に基づいた理論計算を 行った.また,ナノメートルサイズの試料の熱電特性を測定するための新手法として,表面電位顕微鏡(KFM)を用 いたゼーベック係数の測定にも着手した. 
(英) In order to develop a high-efficiency thermoelectric device, we have investigated the thermoelectric characteristics of Si nanostructures. We have measured the Seebeck coefficient for ultrathin SOI (silicon on insulator) layers with various thickness and carrier concentration to clarify the electron confinement effect in the thermoelectric characteristics. In the present paper, we show the theoretically-evaluated Seebeck coefficient for Si, based on the Boltzmann transport equation, and demonstrate a new method for the Seebeck-coefficient measurement using a KFM (Kelvin-probe force microscopy) technique.
キーワード (和) 熱電変換材料 / ナノ構造 / SOI基板 / ゼーベック係数 / 表面電位顕微鏡(KFM) / / /  
(英) thermoelectricity / nanostructure / SOI wafer / Seebeck coefficient / Kelvin-probe force microscope / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 438, SDM2008-230, pp. 81-85, 2009年2月.
資料番号 SDM2008-230 
発行日 2009-02-19 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-238 SDM2008-230 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-238 SDM2008-230

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-02-26 - 2009-02-27 
開催地(和) 北海道大学 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2009-02-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高効率熱電変換デバイス用シリコンナノ構造の熱電特性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Thermoelectric characteristics of Si nanostructures for a high-efficiency thermoelectric device 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 熱電変換材料 / thermoelectricity  
キーワード(2)(和/英) ナノ構造 / nanostructure  
キーワード(3)(和/英) SOI基板 / SOI wafer  
キーワード(4)(和/英) ゼーベック係数 / Seebeck coefficient  
キーワード(5)(和/英) 表面電位顕微鏡(KFM) / Kelvin-probe force microscope  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 池田 浩也 / Hiroya Ikeda / イケダ ヒロヤ
第1著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) ファイズ サレ / Faiz Salleh / ファイズ サレ
第2著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅井 清涼 / Kiyosumi Asai / アサイ キヨスミ
第3著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 石田 明広 / Akihiro Ishida / イシダ アキヒロ
第4著者 所属(和/英) 静岡大学 (略称: 静岡大)
Shizuoka University (略称: Shizuoka Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第5著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第6著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第7著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第8著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第9著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第10著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2009-02-27 11:45:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2008-238, SDM2008-230 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.437(ED), no.438(SDM) 
ページ範囲 pp.81-85 
ページ数
発行日 2009-02-19 (ED, SDM) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会