講演抄録/キーワード |
講演名 |
2009-02-26 16:55
AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器 ○前澤宏一(富山大)・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝(名大)・赤松和弘(日鉱金属) ED2008-231 SDM2008-223 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-231 SDM2008-223 |
抄録 |
(和) |
AlN セラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し,その特性を調べた.作製には微小デバイスブロックの配置・配線技術を用いた.これにより,大容量のチップコンデンサをRTD の近傍に配置することが可能になった.49 GHz で安定した発振が得られ,100 kHz オフセットで-100 dBc/Hz という良好な位相ノイズ特性が得られた. |
(英) |
The RTD-pair oscillators were designed and fabricated on an AlN ceramic substrate employing novel integration process based on assembly of small device blocks. Using this process chip capacitors were mounted close to the oscillator without large parasitic inductance. This can relax the severe condition for bias stability. Stable oscillations were observed in the fabricated circuits at 35-50 GHz. Good single sideband phase noise of -100 dBc/Hz at 100-kHz offset was also observed for the fabricated circuit. |
キーワード |
(和) |
発振器 / ,ヘテロジニアス・インテグレイション / 共鳴トンネル / InP / / / / |
(英) |
oscillator / heterogeneous integration / resonant tunneling / InP / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 437, ED2008-231, pp. 41-46, 2009年2月. |
資料番号 |
ED2008-231 |
発行日 |
2009-02-19 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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