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講演抄録/キーワード
講演名 2009-02-26 13:30
[招待講演]Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用
尾辻泰一末光哲也姜 顯澈唐澤宏美宮本 優半田浩之末光眞希東北大)・佐野栄一北大)・リズィー マキシムリズィー ヴィクトール会津大エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-224 SDM2008-216
抄録 (和) Si基板上にエピタキシャル成長したグラフェンとその電子デバイス応用について研究状況を紹介する.グラフェンの形成技術としては,グラファイト片からのピーリングとエピタキシャル成長したSiCの表面改質が一般的であるが,ポストCMOS新材料としての適用を考慮すると,Si基板の導入と半導体集積加工に耐える量産性に優れた低温成長技術が不可欠である.その要求に応えるために,有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長と表面改質によるグラフェン・オン・シリコン(GOS)成長技術を開発した.本GOS材料を用いて,グラフェンをチャネルとするトランジスタ動作の観測に成功した.グラフェン成長層数の制御や膜平坦性など,GOSプロセス技術の改善・発展,オーミック電極形成,閾値制御,不純物注入制御など,今後解決すべき課題は多い.グラフェンの特異な電子輸送特性は,FET応用以外にも,プラズモニックデバイス,テラヘルツレーザーなど,多様な電子デバイスへの活用が期待される.ここではそれらの一端も併せて紹介する. 
(英) This paper reviews recent advances in graphene material epitaxially grown on Si substrate and its applications to electron devices. Exfoliation from highly-oriented pyrolitic graphite and surface decomposition of epitaxial SiC are well-known as graphene formation technologies. However, when it is introduced to the post-CMOS VLSIs as the key material, introduction of Si substrate as the starting material as well as practically low-temperature, reproducible growth technology are mandatory. To cope with those issues we developed “graphene-on-silicon” material growth technology consisting of epitaxial growth of 3C-SiC onto Si substrate using organo-silan gas-source MBE and surface decomposition processes. By utilizing such a new GOS material to form the channel with graphene, we succeeded in the transistor operation. This is the first step ahead; we have recognized existing subjects for ultra-high performance, mass-productive device fabrication. The exceptional electronic properties of graphene can devise wide variety of new devices including plasmonic devices and terahertz lasers which will also be described.
キーワード (和) グラフェン / エピタキシャル成長 / シリコン / FET / CMOS / テラヘルツ / レーザー /  
(英) graphene / epitaxial growth / silicon / FET / CMOS / terahertz / laser /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 437, ED2008-224, pp. 1-6, 2009年2月.
資料番号 ED2008-224 
発行日 2009-02-19 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2009-02-26 - 2009-02-27 
開催地(和) 北海道大学 
開催地(英) Hokkaido Univ. 
テーマ(和) 機能ナノデバイスおよび関連技術 
テーマ(英) Functional nanodevices and related technologies 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2009-02-SDM-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Epitaxial Graphene Grown on Si Substrate and Its Applications to Electron Devices 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) グラフェン / graphene  
キーワード(2)(和/英) エピタキシャル成長 / epitaxial growth  
キーワード(3)(和/英) シリコン / silicon  
キーワード(4)(和/英) FET / FET  
キーワード(5)(和/英) CMOS / CMOS  
キーワード(6)(和/英) テラヘルツ / terahertz  
キーワード(7)(和/英) レーザー / laser  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 尾辻 泰一 / Taiichi Otsuji / オツジ タイイチ
第1著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 哲也 / Tetsuya Suemitsu / スエミツ テツヤ
第2著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 姜 顯澈 / Hyon-Choru Kang / カン ヒョンチョル
第3著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 唐澤 宏美 / Hiromi Karasawa / カラサワ ヒロミ
第4著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮本 優 / Yuu Miyamoto / ミヤモト ユウ
第5著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 半田 浩之 / Hiroyuki Handa / ハンダ ヒロユキ
第6著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 末光 眞希 / Maki Suemitsu / スエミツ マキ
第7著者 所属(和/英) 東北大学 (略称: 東北大)
Tohoku University (略称: Tohoku Univ.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐野 栄一 / Eiichi Sano / サノ エイイチ
第8著者 所属(和/英) 北海道大学 (略称: 北大)
Hokkaido University (略称: Hokkaido Univ.)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) リズィー マキシム / Maxim Ryzhii / リズィー マキシム
第9著者 所属(和/英) 会津大学 (略称: 会津大)
University of Aizu (略称: Univ. of Aizu)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) リズィー ヴィクトール / Victor Ryzhii / リズィー ヴィクトール
第10著者 所属(和/英) 会津大学 (略称: 会津大)
University of Aizu (略称: Univ. of Aizu)
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講演者
発表日時 2009-02-26 13:30:00 
発表時間 40 
申込先研究会 ED 
資料番号 IEICE-ED2008-224,IEICE-SDM2008-216 
巻番号(vol) IEICE-108 
号番号(no) no.437(ED), no.438(SDM) 
ページ範囲 pp.1-6 
ページ数 IEICE-6 
発行日 IEICE-ED-2009-02-19,IEICE-SDM-2009-02-19 


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